HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
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TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202410/463741.htmTrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。
如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。
由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產(chǎn)成本，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，對三星、SK海力士及美光等DRAM廠商的營收貢獻(xiàn)，將逐季上揚(yáng)。
在NAND Flash后市部分，TrendForce指出，NAND Flash供貨商經(jīng)歷2023年的巨額虧損后，資本支出轉(zhuǎn)趨保守。同時(shí)，DRAM和HBM等內(nèi)存產(chǎn)品需求，受惠AI浪潮的帶動，將排擠2025年NAND Flash的設(shè)備投資，使得過去嚴(yán)重供過于求的市況，將有所緩解。
隨著AI技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash市場正經(jīng)歷前所未有的變革。AI應(yīng)用對高速、大容量儲存的需求日益增加，長期而言，將推動enterprise SSD（eSSD）市場的蓬勃發(fā)展。
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