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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案

  • 全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務(wù)器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內(nèi)存模組
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負載加速

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎(chǔ)設(shè)施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當前的?TSV RDI
  • 關(guān)鍵字： 美光  MRDIMM  低延遲主存  數(shù)據(jù)中心  
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