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HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經(jīng)濟部門于2021年5月申請領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術(shù)暨高帶寬存儲器研發(fā)領(lǐng)航計劃，在中國臺灣設(shè)立第一個研發(fā)中心，獲補助47億元新臺幣，將研發(fā)先進制程落腳在中國臺灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國臺灣申請
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存儲技術(shù)，掀起一輪新革命

  • 內(nèi)存市場迎來新一輪 DRAM 技術(shù)「革命」。
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存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？

  • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務(wù)器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當(dāng)前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務(wù)器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應(yīng)運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)細(xì)節(jié)當(dāng)?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模組
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HBM4持續(xù)加速：AI時代競爭新焦點

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計算的應(yīng)用至關(guān)重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器。
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臺積電要抄三星的后路

  • 在芯片制造領(lǐng)域，先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術(shù)難度和制造難度提高了不少，需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產(chǎn) 2n
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認(rèn)證，輝達GB200將于2025年放量，其
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巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆

  • 在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進封裝，另一個便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計算（HPC）的工作負(fù)載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎？

  • 在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進化版，旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無需中介層實現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程?！?nbsp;2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達測試

  • 財聯(lián)社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產(chǎn)品測試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達一事展開談判。
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