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Micron和Achronix提供下一代FPGA并借助高性能GDDR6存儲(chǔ)器支持機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用

  •   Micron Technology, Inc.日前宣布推出其GDDR6存儲(chǔ)器,它是Micron最快、最強(qiáng)大且支持圖形的存儲(chǔ)器,將成為支持Achronix采用臺(tái)積電(TSMC) 7nm工藝技術(shù)的下一代獨(dú)立FPGA芯片的首選高性能存儲(chǔ)器。GDDR6針對(duì)包括機(jī)器學(xué)習(xí)等諸多要求嚴(yán)苛的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這些應(yīng)用需要數(shù)萬兆比特(multi-terabit)存儲(chǔ)寬帶,從而使Achronix在提供FPGA方案時(shí),其成本能夠比其他使用可比存儲(chǔ)解決方案的FPGA低出一半?! 〖苫_發(fā)環(huán)境使設(shè)計(jì)人員能夠使用Ment
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貿(mào)澤擴(kuò)充先進(jìn)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商陣容

  •   專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布與Micron Technology簽署了全球分銷協(xié)議。Micron Technology是全球知名的創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商,致力于改進(jìn)世界使用信息的方式。簽約后,Micron將成為貿(mào)澤非常重要的高科技存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)商,通過貿(mào)澤向全球客戶提供Micron在業(yè)界廣受歡迎的存儲(chǔ)解決方案?! icron產(chǎn)品立足于 40 年來的技術(shù)沉淀和積累,主要面向 計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)、服務(wù)器、移動(dòng)、嵌入式、消費(fèi)類產(chǎn)品、汽
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Micron、Rambus、Northwest Logic 和 Avery Design 攜手打造適用于新一代應(yīng)用的全面 GDDR6 解決方案

  •   領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲(chǔ)供應(yīng)商美光科技有限公司今日宣布將與 Rambus Inc.、Northwest Logic 和 Avery Design 合作,為當(dāng)今世上最快的離散存儲(chǔ)GDDR6推出全面的解決方案。這款史無前例的解決方案將讓 GDDR6 能夠應(yīng)用于高級(jí)應(yīng)用,例如高性能網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛車輛、人工智能和 5G 基礎(chǔ)設(shè)施?! ∮?nbsp;GPU 供應(yīng)商提供支持的前幾代 GDDR&
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Micron宣布在臺(tái)成立DRAM卓越制造中心

  •   Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣資產(chǎn),并將以此建立Micron在臺(tái)之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。   經(jīng)由此收購案, Micron取得與其臺(tái)中廠相鄰的無塵室和設(shè)備,并將使Micron 的晶圓制造與后段封測(cè)得以集中于同一據(jù)點(diǎn),并專注于建立集中式的后段封測(cè)營(yíng)運(yùn)。   全球制造副總裁Wayne Allan指出:“此舉為Micron在臺(tái)建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測(cè)結(jié)合在同一地點(diǎn),構(gòu)建一個(gè)完整連貫的高效制造支援組織,
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e2v宣布計(jì)劃延長(zhǎng)Micron部分SDR和DDR存儲(chǔ)產(chǎn)品的壽命

  • 射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布,將延長(zhǎng)世界領(lǐng)先高級(jí)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商之一 Mic
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Micron:新閃存和高速解決方案助數(shù)據(jù)中心進(jìn)一步提速

  • 新閃存的速度、功耗和體積進(jìn)一步優(yōu)化  專注于NVMe協(xié)議PCle接口的美光科技(Micron)近期推出兩款用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)的基于PCle接口的產(chǎn)品——Micron 9100和7100 PCIe NVMe SSD。新產(chǎn)品可幫助數(shù)據(jù)中心用戶實(shí)施靈活且可橫向擴(kuò)展的 IT 基礎(chǔ)設(shè)施,使用戶能夠利用更好的閃存擴(kuò)展和改善其舊式數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施?!  爱?dāng)下數(shù)據(jù)的速度非常快而且多,每天世界產(chǎn)生數(shù)據(jù)量達(dá)到2.5XB的級(jí)別,我們已經(jīng)不能再應(yīng)用對(duì)于數(shù)據(jù)批處理的方式,因?yàn)閷?shù)據(jù)先整合再處理分析得出答案的模式不再適用了,現(xiàn)在必
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大陸與韓國(guó)DRAM戰(zhàn)局全面啟動(dòng) 恐牽動(dòng)全球DRAM版圖變化

  •   大陸清華紫光集團(tuán)對(duì)美光(Micron)提出收購案,美光已公開拒絕,半導(dǎo)體業(yè)者透露,由于美光要求產(chǎn)能絕對(duì)掌控權(quán),但大陸志在技術(shù),無意復(fù)制華亞科模式,使得雙方談判觸礁,大陸公開美光收購案,有意向SK海力士(SK Hynix)喊話,DRAM策略結(jié)盟正暗潮洶涌,這一場(chǎng)大陸與美、韓DRAM競(jìng)賽才剛鳴槍起跑。   清華紫光直接對(duì)美光提出收購案,大陸擴(kuò)大半導(dǎo)體版圖決心已昭然若揭,事實(shí)上,大陸存儲(chǔ)器發(fā)展策略是大陸人民幣1,200億元國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金的一環(huán),從2014年著手策劃至今已陸續(xù)就定位,在生產(chǎn)基地方面,經(jīng)
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ReRAM公布最新成果,性能接近理論數(shù)據(jù)

  •   可變電阻式ReRAM 作為新的存儲(chǔ)技術(shù),從研發(fā)到商用總是要?dú)v經(jīng)漫長(zhǎng)的艱難坎坷。現(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見成效,日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果,稱他們?cè)囍频漠a(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數(shù)據(jù)。    ?   索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片,據(jù)稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造,可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片,可用于移動(dòng)設(shè)備或者是PC上。   按照公布的信息稱,索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實(shí)
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加入RRAM開發(fā)戰(zhàn)線,Sony 與Micron 共同發(fā)表新成果

  •   繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)發(fā)表了他們?cè)陔娮枋接洃涹w(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后,Sony 也與合作夥伴 Micron 發(fā)表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品后的最新試作品結(jié)果。   在 RRAM 的合作關(guān)系中,Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技術(shù),Micron 則是目前記憶體制造業(yè)的大廠。在今年的
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Altera的FPGA與Micron混合內(nèi)存立方實(shí)現(xiàn)互操作

  • Altera公司 (NASDAQ: ALTR)和Micron技術(shù)有限公司(NASDAQ: MU) (“Micron”)日前宣布,雙方聯(lián)合成功展示了Altera Stratix? V FPGA和Micron混合內(nèi)存立方 (Hybrid Memory Cube, 簡(jiǎn)稱HMC)的互操作性。采用這一成功的技術(shù),系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在下一代通信和高性能計(jì)算設(shè)計(jì)中充分發(fā)揮FPGA和SoC的HMC優(yōu)勢(shì)。
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DRAM價(jià)格持續(xù)上揚(yáng) 挹注各家廠商首季營(yíng)收

  •   根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體產(chǎn)業(yè)研究部門DRAMeXchange表示,近期標(biāo)準(zhǔn)型記體價(jià)格持續(xù)上揚(yáng),合約市場(chǎng)主流商品DDR34GB模組今年首季均價(jià)由17.25美元漲至3月底的23.5美元,價(jià)格大幅上漲達(dá)36.2%;DRAM產(chǎn)業(yè)季營(yíng)收表現(xiàn)持平,在淡季影響之下實(shí)屬難能可貴。   各記憶體廠獲益程度則因標(biāo)準(zhǔn)型記憶體占產(chǎn)出比例不同而有差異,其中以韓系廠SK海力士(Hynix)半導(dǎo)體以及美商美光半導(dǎo)體(Micron)算是此波價(jià)格上漲的最大受益者。DRAMeXchange指出,DRAM價(jià)格在
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第一季全球半導(dǎo)體廠商排行榜 日本業(yè)者落漆

  •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示,有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五,瑞薩(Renesas)因銷售額下滑20%而跌出前十名,索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷售額較去年同期下滑31%,富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷售額下滑26%。   不過ICInsights指出,日本半導(dǎo)體廠商的銷售額數(shù)字都是由日?qǐng)A換算成美元;在2012年第一季時(shí),美元兌日?qǐng)A匯率為1美元7
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DDR4今年年底抵達(dá)PC

  •   DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者,Micron本周一宣布明年將有望和大家見面,被應(yīng)用在普通PC上。據(jù)澳大利亞的Techworld報(bào)道,公司已經(jīng)為發(fā)售初始版本的內(nèi)存DDR4做好準(zhǔn)備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇,相比較即將來臨的DDR4已經(jīng)明顯在功耗和性能上落后,新的DDR4有望工作在更低的電壓下,相比較和1.5V DDR3只需要1.2V,并且總線速度將定位在2133MHz,無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強(qiáng)于前任。   制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的電子設(shè)備工程聯(lián)合協(xié)會(huì)(JEDEC)下個(gè)月將推出DDR4
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IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

  •   據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出,由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲(chǔ)器合資公司IM Flash,日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲(chǔ)器,這也使得智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)里的儲(chǔ)存裝置可以進(jìn)一步縮小。   
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經(jīng)濟(jì)平緩,半導(dǎo)體廠商應(yīng)對(duì)策略探討

  •   2011回歸正常   據(jù)各市場(chǎng)調(diào)查公司和企業(yè)的預(yù)測(cè),2011年半導(dǎo)體業(yè)還將保持在2010年的3000億美元的規(guī)模,上半年相對(duì)是淡季。同時(shí)2011年也將會(huì)回歸正常,不會(huì)像過去兩年過山車式地劇烈震蕩。   回首過去,一些企業(yè)如何在危機(jī)中成長(zhǎng),對(duì)即將來到的淡季又將如何準(zhǔn)備?成功的企業(yè)是否有些經(jīng)驗(yàn)可循?我國(guó)本土半導(dǎo)體企業(yè)成長(zhǎng)的根結(jié)在哪里?2010年的后兩月,筆者走訪了一些企業(yè)老總和市場(chǎng)調(diào)查公司分析師,期待從中找到答案。   
  • 關(guān)鍵字: Micron  半導(dǎo)體  201102  
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micron介紹

1. Micron(美國(guó)美光)半導(dǎo)體是全球第二大內(nèi)存芯片廠,是全球著名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方案供應(yīng)商,是美國(guó)500強(qiáng)企業(yè)之一。   Micron是其中先進(jìn)的半導(dǎo)體解答領(lǐng)先世界的提供者之一。Micron微量和閃光組分用于現(xiàn)代最先進(jìn)的計(jì)算,Micron的網(wǎng)絡(luò)和通信產(chǎn)品,包括計(jì)算機(jī)、工作站、服務(wù)器、手機(jī)、無線電設(shè)備、數(shù)字照相機(jī)和GAMING系統(tǒng)。   美光科技有限公司(Micron Technology, [ 查看詳細(xì) ]

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