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晶圓代工開始關(guān)注新型存儲

新型存儲器能夠滿足未來更加多樣化的存儲需求。
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迷人的新型存儲

多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程?，F(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20
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ReRAM即將跨入3D時代？

　　莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…　　可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前，flash由于搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌?！　∪缃?，莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technolo
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中芯國際為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM？

　　比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長的電池續(xù)航力，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。　　現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網(wǎng)裝置能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)芯片中內(nèi)嵌“可變電阻式內(nèi)存”(ReRAM)，有助達成此一節(jié)能目標(biāo)。　　據(jù)報導(dǎo)，若要達到物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的能源采用要求，需要導(dǎo)入各式節(jié)能策略，即使多數(shù)
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

　　非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。　　根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達
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40nm ReRAM芯片正式出樣中芯國際向上走勢頭勁

中芯未來幾年的擴產(chǎn)布局，可謂遍地開花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠投資計劃，雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。
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中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

　　目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日，兩者合作的結(jié)晶終于誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。　　據(jù)介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲，還具
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

　　富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。　　ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃
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ReRAM公布最新成果,性能接近理論數(shù)據(jù)

　　可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術(shù)，從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長的艱難坎坷?，F(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數(shù)據(jù)。　　 ? 　　索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據(jù)稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片，可用于移動設(shè)備或者是PC上。　　按照公布的信息稱，索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實
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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

　　固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。　　基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮

　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM技術(shù)和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮。內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內(nèi)存)和MRAM(磁性隨機存取內(nèi)存)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結(jié)構(gòu)，相
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異業(yè)結(jié)盟潮起次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。　
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夏普聯(lián)袂爾必達開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

　　日經(jīng)新聞報道，夏普正與爾必達聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預(yù)計在2013年實現(xiàn)量產(chǎn)。　　
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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

　　據(jù)國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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reram介紹

　　日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗. 　　包含鈦鎳氧化物結(jié)構(gòu)的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術(shù)指標(biāo)在反復(fù)高速寫入和擦除時會影響產(chǎn)品質(zhì)量和壽命. 　　新的技術(shù)可以更快地完成存取,5毫秒內(nèi)存取10000次. 　　這種ReRAM未來可以替代目前的 [ 查看詳細 ]

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