ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

　　固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。

　　基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學(xué)伯克利分校，并且是新竹交通大學(xué)電子工程系榮譽(yù)教授的蔡少堂(Leon Chua)，37年前就預(yù)測有第四個元件的存在，即憶阻器(memristor)，實(shí)際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。

　　惠普公司實(shí)驗(yàn)室的研究人員最近證明憶阻器的確存在，研究論文在5月1日的《自然》期刊上發(fā)表。加州大學(xué)伯克利分校電機(jī)工程和計算機(jī)科學(xué)系教授蔡少棠，1971年發(fā)表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構(gòu)，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實(shí)驗(yàn)室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標(biāo)題，呼應(yīng)前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示，當(dāng)年他提出論文后，數(shù)十年來不曾繼續(xù)鉆研，所以當(dāng)惠普實(shí)驗(yàn)室人員幾個月前和他聯(lián)系時，他吃了一驚。

　　憶阻器可使手機(jī)將來使用數(shù)周或更久而不需充電;使個人電腦開機(jī)后立即啟動;筆記型電腦在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰(zhàn)掌上電子裝置目前普遍使用的閃存，因?yàn)樗哂嘘P(guān)閉電源后仍記憶數(shù)據(jù)的能力。利用惠普公司這項新發(fā)現(xiàn)制成的晶片，將比今日的閃存更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。憶阻器跟人腦運(yùn)作方式頗為類似，惠普說或許有天，電腦系統(tǒng)能利用憶阻器，像人類那樣將某種模式(patterns)記憶與關(guān)聯(lián)。