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迷人的新型存儲(chǔ)

多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?，F(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強(qiáng)?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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上?！胺且资源鎯?chǔ)器”研究躋身國(guó)際先進(jìn)水平

　　“非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國(guó)際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù)，越來越受到世界各國(guó)高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國(guó)際先進(jìn)水平。　　與易失性存儲(chǔ)器相比，非易失性存儲(chǔ)器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器分為相變存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、電阻式存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器等諸多類型。　　中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中芯國(guó)際、micro-chip是產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的團(tuán)隊(duì)，一直致力于研究我國(guó)自
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 PCRAM

固態(tài)硬盤永遠(yuǎn)無法徹底取代機(jī)械硬盤？

　　固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風(fēng)生水起，但受限于各種因素，短期內(nèi)還無法取代機(jī)械硬盤，而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾
關(guān)鍵字： Intel 存儲(chǔ)芯片 PCRAM

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稱為相變存儲(chǔ)器：相變存儲(chǔ)器利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。　　初次聽到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì)感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水（固相）。物質(zhì)從一種相變成另外一種相的過程叫做‘相變’例如水從液態(tài)轉(zhuǎn) [ 查看詳細(xì) ]

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