再加碼！臺積電在美投資或增加到2000億美元

日前，特朗普接受專訪時再度提到臺積電赴美投資重大里程碑，談及投資規(guī)模時，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱臺積電董事長魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。

臺積電的“赴美”之路

· 2020年，臺積電宣布在亞利桑那州設立首個芯片生產(chǎn)基地，初期預計投資約120億美元；

· 2023年，臺積電計劃進一步增加在美國的投資力度，決定在亞利桑那州增設第二個晶圓制造廠，這使臺積電在美國的總投資額提升至400億美元；

· 2024年，為了更多利用《芯片和科學法案》所提供的補貼支持，臺積電再次擴大了其在美國的布局計劃，宣布將在亞利桑那州建設第三座晶圓制造廠，至此，臺積電在亞利桑那州三座芯片工廠的總投資金額達650億美元。

而特朗普卻對《芯片和科學法案》進行了抨擊，聲稱這是一個極其不利的政策，并提出了替代方案 —— 主張通過大幅提高關稅來促進產(chǎn)業(yè)“回流”美國，而不是依賴巨額的財政補貼吸引企業(yè)在美國設廠。

本月初，臺積電董事長魏哲家與美國總統(tǒng)特朗普在白宮共同宣布，未來四年臺積電將在美增加投資1000億美元，這也是美國史上規(guī)模最大的單項海外直接投資案，而總投資金額達到了1650億美元。不但規(guī)劃新建三座新晶圓廠、兩座先進封裝設施，還會在美國設立一個大型研發(fā)中心。

值得注意的是，這不是特朗普第一次說臺積電要在美投資2000億美元。3月9日，特朗普談到臺積電赴美投資時，即提及2000億美元投資規(guī)模的數(shù)字。美系設備業(yè)者透露，2000億美元規(guī)模才是特朗普最希冀達到的目標，隨英特爾新任CEO陳立武18日就職，第二輪談判即將展開。

美方將臺積電此舉視為降低對亞洲芯片依賴的關鍵舉措，美國商務部長霍華德·盧特尼克表示，這一投資是“特朗普強硬關稅政策的直接成果”，暗示臺積電是為了規(guī)避即將生效的25%海外產(chǎn)品關稅而加快向美國轉移產(chǎn)能。

臺積電加快在美建廠速度

日經(jīng)報道稱，臺積電在經(jīng)歷首座美國工廠五年建設周期后，已基本掌握在美建廠經(jīng)驗，計劃將后續(xù)晶圓廠建設周期縮短至兩年。目前，臺積電正在完成鳳凰城Fab 21一期工廠的設備安裝工作，并計劃在Fab 21二期建設完成后將（設備安裝）工具移至該區(qū)域。

· 一期：2020年動工，預計今年上半年開始生產(chǎn)4nm芯片，目前已進入最后的質(zhì)量驗證階段；

· 二期：目前該工廠已經(jīng)完成主體廠房建設，計劃2026年試產(chǎn)、2028年開始量產(chǎn)3nm和2nm芯片；

· 三期：將于今年年中開始動工，2029年之后生產(chǎn)2nm和更先進（A16節(jié)點）制程芯片。

盡管建設速度提升，但光刻機交付周期難以壓縮，設備供應成了新的制約因素，這可能導致美國工廠的實際技術導入滯后中國臺灣1-2個制程節(jié)點。除此之外，根據(jù)供應鏈信息，美國工廠生產(chǎn)的芯片不會用于蘋果的最新機型，因為最先進的制造工藝仍將保留在中國臺灣工廠。