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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

• 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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