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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能
- 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
- 關(guān)鍵字: Transphorm TOLT封裝 氮化鎵 SuperGaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè),致力于設(shè)計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前處于開發(fā)階段)氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利,氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司,這意味著在器件開發(fā)的每個關(guān)鍵階段,我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計、外延片材料、晶圓制程工藝,直至最終氮化鎵場效應(yīng)晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字: 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字: Transphorm SuperGaN FET 驅(qū)動器
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