mos-fet 文章最新資訊

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶(hù)常使用之ACF架構(gòu)更具競(jìng)爭(zhēng)力，在電路設(shè)計(jì)上相對(duì)容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿(mǎn)足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用，提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來(lái)改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶(hù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
關(guān)鍵字： Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對(duì)于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應(yīng)一、簡(jiǎn)介MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠(chǎng)商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀(guān)察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形?？梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺(tái)階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來(lái)的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電壓波
關(guān)鍵字： MOS Miller

貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(zhǎng)的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET

GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同，比如“這是否通過(guò)了鑒定？”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀(guān)點(diǎn)，因
關(guān)鍵字： GaN FET 電源可靠性

貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應(yīng)用提供更好的支持

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購(gòu)）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
關(guān)鍵字： SiC FET

UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET

UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
關(guān)鍵字： SiC FET

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗

一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過(guò)升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
關(guān)鍵字： SiC FET PFC

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
關(guān)鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

模電設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，你到哪個(gè)段位了？

模擬電路設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，類(lèi)似下圍棋的段位。請(qǐng)從一段到九段仔細(xì)閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
關(guān)鍵字：模電模擬電路 MOS

TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
關(guān)鍵字： GaN FET SiC