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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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MOS 管的死區(qū)損耗計算

  • MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導通，就會導致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至時電源損壞，這種損壞是災難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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超高壓MOS在變頻器上的應用

  • 一、變頻器的定義及應用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機的功率，實現(xiàn)電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現(xiàn)異常運行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

  • 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

  • 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場效應管將生物響應轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據(jù)設備上的終端數(shù)量，可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用

  • 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電，不過從直流電轉(zhuǎn)換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監(jiān)視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正
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EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器,用于電動自行車、機器人和無人機

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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更小、更快、更節(jié)能，半導體芯片迎大突破

  • 最先進的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲、搜索和分析越來越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場效應晶體管（FE-FETs）是應對這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場效應和電荷積累，實現(xiàn)了長期穩(wěn)定的記憶效應。與傳統(tǒng)存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個成功的FE-FET設計可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

  • 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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如何在電源上選擇MOS管

  • 在開關(guān)電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關(guān)電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

  • 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

  • 學習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學習構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學習構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

  • MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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功率MOS管損壞的典型

  • 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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