自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū)，產(chǎn)能達(dá)9000片/月

 研發(fā)力度持續(xù)加大，第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)蝶變?cè)诩?/span>公司的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)孕育蝶變。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。公司人員在對(duì)外采訪中稱：公司在碳化硅方面取得了重要突破，是國(guó)內(nèi)第一家將碳化硅芯片應(yīng)用于汽車主驅(qū)動(dòng)的企業(yè)，目前產(chǎn)能已達(dá)每月9千片左右，并將在下半年進(jìn)一步提升至接近6萬(wàn)片，未來(lái)將持續(xù)穩(wěn)固起量，同時(shí)也在穩(wěn)步推進(jìn)八寸廠車規(guī)產(chǎn)線的建設(shè)。2024年上半年，基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，盡快將第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。此外，2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與士蘭微電子在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》：各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。本次合作是士蘭微電子積極響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略，加快發(fā)展汽車半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片的重大舉措。碳化硅SiC被稱為第三代半導(dǎo)體，近幾年來(lái)得到越來(lái)越多的商業(yè)化應(yīng)用，在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢(shì)。士蘭微在SiC芯片上的投資，是公司立足長(zhǎng)遠(yuǎn)、積極為股東謀求可持續(xù)的、高質(zhì)量發(fā)展的必要舉措。較為完善的技術(shù)研發(fā)體系是士蘭微的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一，夯實(shí)公司長(zhǎng)期高質(zhì)量發(fā)展基石。今年上半年公司持續(xù)加大對(duì)模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、碳化硅MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)電路和器件芯片工藝平臺(tái)的建設(shè)進(jìn)度，加大汽車級(jí)功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入，公司研發(fā)費(fèi)用較去年同期增加34%，連續(xù)創(chuàng)出歷史同期新高。公司也對(duì)報(bào)告期內(nèi)公司業(yè)績(jī)下降，解釋了主要原因：
    1、報(bào)告期內(nèi)，公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生的稅后凈收益為 16,217 萬(wàn)元。    2、報(bào)告期內(nèi)，公司持續(xù)加大模擬電路、 IGBT 器件、 IPM 智能功率模塊、 PIM 功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié) MOSFET 器件、 MCU 電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在 大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的 推廣力度，公司總體營(yíng)收較去年同期增長(zhǎng)約 18% 。但同時(shí)，由于下游電動(dòng)汽車、新能源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，導(dǎo)致部分產(chǎn)品價(jià)格下降較快，產(chǎn)品毛利率降低。對(duì)此，公司進(jìn)一步推出更高性能和更優(yōu)成本的產(chǎn)品，積極擴(kuò)大市場(chǎng)份額。    3、報(bào)告期內(nèi)，公司 子公司士蘭明鎵 6 英寸 SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段， SiC芯片產(chǎn)出相對(duì)較少，資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對(duì)較高，導(dǎo)致其虧損較大。    4、報(bào)告期內(nèi)，公司持續(xù)加大對(duì)模擬電路、功率器件、功率模塊、 MEMS 傳感器、碳化硅 MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級(jí)、工 業(yè)級(jí)電路和器件芯片工藝平臺(tái)的建設(shè)進(jìn)度，加大汽車級(jí)功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入，公司研發(fā)費(fèi)用較去年同期增加 34% 。 士蘭微當(dāng)前主要制造工廠經(jīng)營(yíng)情況（1 ）士蘭集科2024年上半年，公司重要參股公司士蘭集科公司總計(jì)產(chǎn)出 12 吋芯片 22.46 萬(wàn)片 較上年同期減少約 5%5%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 11.21 億元，較上年同期增加約 6% 。近期隨著 IGBT 芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平（接近滿產(chǎn)）。目前，士蘭集科正在加快推進(jìn)車規(guī)級(jí)BCD 電路芯片產(chǎn)能建設(shè)，新增電路產(chǎn)能預(yù)計(jì)在明年一季度釋放。（2 ）士蘭集昕2024年上半年，公司子公司士蘭集昕公司產(chǎn)能利用率保持穩(wěn)定，總計(jì)產(chǎn)出 8 吋、 12 吋芯片33.20 萬(wàn)片，與去年同期減少約 4% 。上半年，士蘭集昕公司繼續(xù)加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的步伐，附加值較高的 BCD 電路、高壓超結(jié) MOS 管、大功率 IGBT 的出貨量增長(zhǎng)較快。目前士蘭集昕的產(chǎn)能 已處于滿負(fù)荷運(yùn)行，士蘭集昕正在加快推進(jìn) MEMS 傳感器芯片制 造能力的提升，并加快建設(shè) 8 吋硅基GaN 功率器件芯片量產(chǎn)線。（3 ）士蘭集成2024年上半年，公司子公司士蘭集成總計(jì)產(chǎn)出 5 、 6 吋芯片 104.96 萬(wàn)片，比上年同期減少約1% 。上半年，士蘭集成加強(qiáng)了新工藝技術(shù)平臺(tái)開發(fā)，加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，加強(qiáng)成本控制，保持了生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)穩(wěn)定，其營(yíng)業(yè)收入較去年同期基本持平。目前士蘭集成芯片生產(chǎn)線的產(chǎn)能已處于滿負(fù)荷運(yùn)行。（4 ）成都士蘭2024年上半年，公司子公司成都士蘭公司外延芯片生產(chǎn)線的產(chǎn)出和 PIM 模塊封裝生產(chǎn)線的產(chǎn)出均較去年同期有較快的增長(zhǎng)，其營(yíng)業(yè)收入較去年同期增長(zhǎng)約 29% 。下半 年，成都士蘭公司將增加生產(chǎn)設(shè)備投入，進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)功率模塊的封裝能力。（5 ）成都集佳2024年上半年，公司子公司成都集佳公司保持穩(wěn)定生產(chǎn)，其營(yíng)業(yè)收入較去年同期增長(zhǎng)約 18%,獲利能力也有大幅度提升。下半年，成都集佳將加快實(shí)施三期項(xiàng)目，進(jìn)一步擴(kuò)大 IPM 功率模塊封裝線的生產(chǎn)能力。（6 ）士蘭明鎵2024 年上半年 士蘭明鎵實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 3.64 億元，較去年同期增加約 81% 。下半年 ，士蘭明鎵公司將 繼續(xù) 加大在植物照明、車用 LED 、紅外光耦、安防監(jiān)控等中高端應(yīng)用領(lǐng)域的拓展力度，進(jìn)一步推出高附加值的產(chǎn)品，同時(shí)加快實(shí)現(xiàn) SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線產(chǎn)量爬升， 改善盈利水平。營(yíng)收構(gòu)成圍繞這個(gè)長(zhǎng)期的目標(biāo)，報(bào)告期內(nèi)，研發(fā)項(xiàng)目主要圍繞先進(jìn)的車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)電源管理產(chǎn)品（芯片設(shè)計(jì)、芯片工藝制造）、車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)（含化合物 SiC 和 GaN 的芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝）、 MEMS 傳感器產(chǎn)品與工藝技術(shù)平臺(tái)（芯片設(shè)計(jì)、芯片工藝制造和封裝）、車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)的信號(hào)鏈（接口、邏輯與 開關(guān)、運(yùn)放、模數(shù) 數(shù)模轉(zhuǎn)換等）混合信號(hào)處理電路（含芯片設(shè)計(jì)和芯片制造）、光電系列產(chǎn)品（發(fā)光二極管及其它光電器件的芯片制造及封裝技術(shù)）等幾大方面進(jìn)行。通過(guò)這些研發(fā)活動(dòng)，公司不斷豐富現(xiàn)有的產(chǎn)品群，繼續(xù)推出高性能、高質(zhì)量的產(chǎn)品。

來(lái)源：碳化硅芯觀察

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