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日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
  • 關(guān)鍵字： MOS  日立  瑞薩  存儲器  

擴展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

  • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時，現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴展的低頻性能，使之成為設(shè)計與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
  • 關(guān)鍵字： FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    

1994年6月，無錫微電子工程在中國華晶電子集團公司全面通過國家驗收

  • 　　1994年6月，我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團公司全面通過國家驗收。該工程的重點2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國當時微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
  • 關(guān)鍵字： 華晶電子  集成電路  MOS  
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