首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> mos-fet

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
  • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門(mén)  采用  

與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí),但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí),
  • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表  

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì),而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
  • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

  • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器,這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量,事先了
  • 關(guān)鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時(shí)電路    

可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

  • 電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路,R用高阻值,便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù),但是,由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門(mén)限電壓,比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng),為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片,選用高阻
  • 關(guān)鍵字: 電路  定時(shí)  C-MOS  時(shí)間  設(shè)定  

可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
  • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算電路    

使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

  • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器    

Vishay推出4款MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  FET  

友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

  •   友達(dá)光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。   FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
  • 關(guān)鍵字: 友達(dá)  FED  FET  

瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

  •   臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議,友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示,其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相 關(guān)技術(shù)專利,F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。   FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì),其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
  • 關(guān)鍵字: 友達(dá)  FED  FET  

砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元

  •   Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%,但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。   一直
  • 關(guān)鍵字: GaAs  外延襯底  FET  HBT  

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

  •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí),還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制,幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
  • 關(guān)鍵字: TI  FET  轉(zhuǎn)換器  TPS51315  

集成電路布圖設(shè)計(jì)登記:數(shù)量持續(xù)上升 中國(guó)企業(yè)占優(yōu)

  •   2008年,受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退的影響,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國(guó)以內(nèi)需市場(chǎng)為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長(zhǎng),但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測(cè)行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場(chǎng)的變化和利潤(rùn)的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式,集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。   最近,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國(guó)集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。   本報(bào)告數(shù)據(jù)
  • 關(guān)鍵字: NEC  MOS  集成電路布圖設(shè)計(jì)  

ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

  •   2009年1月22日,中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz,設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
  • 關(guān)鍵字: ADI  運(yùn)算放大器  FET  ADA4817  

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: FET  TI  IC-bq2407x  
共196條 12/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

mos-fet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條mos-fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)mos-fet的理解,并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473