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麻省理工學(xué)院計(jì)劃為發(fā)展中國(guó)家開(kāi)發(fā)12美元PC

  •   美國(guó)麻省理工學(xué)院一個(gè)為第三世界家庭開(kāi)發(fā)廉價(jià)計(jì)算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂(lè)系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋(píng)果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。   一些Mac計(jì)算機(jī)網(wǎng)站指出,《波士頓先驅(qū)報(bào)》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國(guó)際設(shè)計(jì)峰會(huì)部分內(nèi)容“教育家庭計(jì)算計(jì)劃”。這個(gè)計(jì)劃的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)成本只有12美元的初級(jí)計(jì)算機(jī)。   雖然設(shè)計(jì)師之一的27歲研究生Derek Lomas說(shuō)他希望給第三世界的學(xué)校提供類(lèi)似于伴隨他長(zhǎng)大蘋(píng)果II計(jì)算機(jī),但是,他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計(jì)算機(jī)
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TI推出具有啟動(dòng)過(guò)程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  •   TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ~6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz,以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調(diào)慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
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基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

  •   0 引言   很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣,在更換維護(hù)插件板時(shí),通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。   所謂熱插拔(Hot
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集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器

  •   當(dāng)輸入至輸出的開(kāi)銷(xiāo)電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí),線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例,其線性充電器的平均功耗超過(guò)5W。   bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對(duì)過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz,輸入電壓最高可達(dá)18V,非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性,并且
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AB類(lèi)功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

  •   1 AB類(lèi)功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo)   在實(shí)用電路中,往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率,以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路,簡(jiǎn)稱(chēng)功放。經(jīng)典功率放大器有4種類(lèi)型:A類(lèi),AB類(lèi),B類(lèi)和C類(lèi),他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類(lèi)經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。      A類(lèi)功率放大器的線性度好,功率傳遞能力差,效率最大值為50%,導(dǎo)通角為360
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一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

  •    Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列,支持廣泛的工作輸入電壓,并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。   ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓;而 ISL8540 支持 9
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飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

  •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。   在個(gè)人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含:采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

移動(dòng)終端中三類(lèi)射頻電路的演進(jìn)方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

34063用于DC-DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC-DC電源變換的集成電路,應(yīng)用比較廣泛,通用廉價(jià)易購(gòu)。
  • 關(guān)鍵字: 升壓  降壓  功率  MOS  

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: FET  DAC  ADI  

功率P-FET控制器LTC4414

  • LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換,也可用作高端功率開(kāi)關(guān)。該器件主要特點(diǎn):工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡(jiǎn)單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù);可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
  • 關(guān)鍵字: LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
  • 關(guān)鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲(chǔ)器  

擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

  • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí),現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能,使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
  • 關(guān)鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    
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