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如何在有限空間里實現(xiàn)高性能?結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法!
- SiC FET在共源共柵結(jié)構中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET,帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優(yōu)勢,以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝,由此增加了自動裝配的便利性,同時減少了元件尺寸,并達成出色的熱特性,在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙(WBG)半導體開關,如碳化硅共源共柵結(jié)構FET(以下簡稱“SiC FET”)和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關。在純技術層面,納秒級的開關速度和較低的比導通電阻帶來非常低的損耗;在相同的芯片
- 關鍵字: Qorvo RDS
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建模可以進行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日,英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其 600V/650V 細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān) Steffen Metzge r表示,“這凸顯了
- 關鍵字: RDS 柵極驅(qū)動器
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨,2020年2月19日:安世半導體,分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產(chǎn)專家,今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領先器件,它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現(xiàn),并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
- 關鍵字: 安世半導體 MOSFET RDS(on)
車載信息娛樂系統(tǒng)、車載多媒體的16個經(jīng)典設計案例
- 隨電子技術和智能終端設備的發(fā)展,作為其重要應用之一的汽車電子正呈現(xiàn)爆炸式的增長,其中車載信息娛樂系統(tǒng)和車載多媒體的設計向更注重用戶體驗的方向邁進,這里匯集16款經(jīng)典設計案例和大家分享車載信息娛樂系統(tǒng)設計方面的最新技術動向。
- 關鍵字: 車載信息娛樂系統(tǒng) 車載多媒體 無線音頻傳送 RDS
淺談RDS的功能設計及其在車載音響中的實現(xiàn)
- 調(diào)頻廣播(FM)一直在人們的娛樂生活中占有非常重要的地位,廣大從事消費電子設計的廠商都在諸如MP3、智能手機、PDA等產(chǎn)品中嵌入FM部分。而RDS數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)(Radio Data System)正是利用調(diào)頻立體聲中的副載波,在傳輸音
- 關鍵字: RDS 車載音響 中的實現(xiàn)
RDS廣播系統(tǒng)的設計和應用研究
- 一、課題名稱及來源近年來,世界上出現(xiàn)了一些數(shù)據(jù)系統(tǒng)廣播電臺。在歐洲稱為RDS(Radio Data System),即無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)。在美國稱為RBDS(Radio Broadcast Data System),即無線電廣播數(shù)據(jù)。無線數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng),是指在
- 關鍵字: 研究 應用 設計 廣播系統(tǒng) RDS
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立,而在
- 關鍵字: MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
恩智浦半導體改善手機的FM RDS接收功能
- 新型 IC具有更高的性能,更小的體積,更低的功耗和成本 恩智浦半導體(NXP Semiconductors,前身為飛利浦半導體),今天推出了一款新型芯片TEA5766。這款芯片可以使手機制造商在新產(chǎn)品中加入具有RDS功能的FM radio。RDS(無線數(shù)據(jù)系統(tǒng))早在90年代初期開始就已經(jīng)成為歐洲汽車收音機的標準功能,它能為用戶提供包括電臺名稱、歌曲信息在內(nèi)的電臺節(jié)目相關信息,并可設置為自動調(diào)回交通和新聞節(jié)目的狀態(tài)。 TEA5766芯片的尺寸只有它前身TEA5764
- 關鍵字: FM RDS 恩智浦半導體 接收功能 手機 通訊 網(wǎng)絡 無線 消費電子 消費電子
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