理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性

通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在開關轉化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實際的應用中會產生一些問題，本文將詳細地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。

功率MOSFET傳輸特征
三極管有三個工作區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)，而MOSFET對應的是關斷區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)。MOSFET的飽和區(qū)對應著三極管的放大區(qū)，而MOSFET的線性區(qū)對應著三極管的飽和區(qū)。MOSFET線性區(qū)也叫三極區(qū)或可變電阻區(qū)，在這個區(qū)域，MOSFET基本上完全導通。

當MOSFET工作在飽和區(qū)時，MOSFET具有信號放大功能，柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導保持一定的約束關系。柵極的電壓和漏極的電流的關系就是MOSFET的傳輸特性。

其中，μn為反型層中電子的遷移率，COX為氧化物介電常數與氧化物厚度比值，W和L分別為溝道寬度和長度。

溫度對功率MOSFET傳輸特征影響
在MOSFET的數據表中，通常可以找到它的典型的傳輸特性。注意到25℃和175℃兩條曲線有一個交點，此交點對應著相應的VGS電壓和ID電流值。若稱這個交點的VGS為轉折電壓，可以看到：在VGS轉折電壓的左下部分曲線，VGS電壓一定時，溫度越高，所流過的電流越大，溫度和電流形成正反饋，即MOSFET的RDS(ON)為負溫度系數，可以將這個區(qū)域稱為RDS(ON)的負溫度系數區(qū)域。

圖1 MOSFET轉移特性

而在VGS轉折電壓的右上部分曲線，VGS電壓一定時，溫度越高，所流過的電流越小，溫度和電流形成負反饋，即MOSFET的RDS(ON)為正溫度系數，可以將這個區(qū)域稱為RDS(ON)正溫度系數區(qū)域。

功率MOSFET內部晶胞的等效模型
在功率MOSFET的內部，由許多單元，即小的MOSFET晶胞并聯(lián)組成,在單位的面積上，并聯(lián)的MOSFET晶胞越多，MOSFET的導通電阻RDS(ON)就越小。同樣的，晶元的面積越大，那么生產的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的導通電阻RDS(ON)也就越小。所有單元的G極和S極由內部金屬導體連接匯集在晶元的某一個位置，然后由導線引出到管腳，這樣G極在晶元匯集處為參考點，其到各個晶胞單元的電阻并不完全一致，離匯集點越遠的單元，G極的等效串聯(lián)電阻就越大。