宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結果表明器件的失效率很低

　　EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨嚰翱?nbsp;替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案。

　　宜普電源轉換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得的現(xiàn)場評估的結果是一致的，證明在商業(yè)化的功率開關應用中，eGaN FET已經(jīng)準備好可以替代日益老化的等效硅基器件。

　　宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow說：「要能驗證全新技術的可靠性是一個重大的挑戰(zhàn)。EPC非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。本階段的測試結果及報告表明，由于EPC的氮化鎵產(chǎn)品具備必備的可靠性，因此是替代硅基技術的首選半導體器件?！?/p>

　　本報告闡述我們對eGaN FET進行廣泛的應力測試的結果。這些測試同樣是對硅基功率MOSFET進行的典型測試方法，以證明eGaN FET在各種應力測試條件下，可否符合JEDEC的最新標準。各種測試包括：

　　·高溫反向偏置[(HTRB)

　　·高溫柵極偏置[(HTGB)

　　·溫度循環(huán)(TC)

　　·高溫高濕反向偏置[(H3TRB)

　　·早期壽命失效率(ELFR)

　　·間歇工作壽命(IOL)

　　EPC公司持續(xù)地對器件進行廣泛的測試。結果表明，各種器件的固有技術及所具備的環(huán)保優(yōu)勢都是可信賴的。第一至第七階段的可靠性測試報告可以在我們的網(wǎng)站找到，網(wǎng)址是www.epc-co.com.cn.