三星 sdi 文章 進入三星 sdi技術(shù)社區(qū)
全球前十大晶圓代工廠4Q24營收排名：臺積電穩(wěn)居龍頭 中芯國際躋身第三
- 3月10日消息，TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新研報顯示，2024年第四季度，前十大晶圓代工廠合計營收季增近10%，達384.8億美元，再創(chuàng)新高。報告稱，2024年第四季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)呈兩極化發(fā)展，先進制程受惠于AI Server等新興應用增長，以及新款旗艦級智能手機AP和PC新平臺備貨周期延續(xù)，帶動高價晶圓出貨增長，抵銷成熟制程需求趨緩帶來的沖擊。其中，受惠于智能手機、HPC新品出貨動能延續(xù)，臺積電營收成長至268.5億美元，增幅14.1%，以市占率67%穩(wěn)居龍頭。三星排名第二，2024年第四季
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三星電子正開發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”：計劃2027年量產(chǎn)
- 3月10日消息，據(jù)報道，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門正在加速研發(fā)下一代封裝材料“玻璃中介層”，旨在替代當前昂貴的硅中介層，并進一步提升芯片性能。這一舉措標志著三星在半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。據(jù)悉，三星電子近期收到了來自澳大利亞材料供應商Chemtronics和韓國設(shè)備制造商Philoptics的共同提案，建議使用康寧玻璃開發(fā)玻璃中介層。三星正在評估委托這些公司進行生產(chǎn)的可能性，以加速玻璃中介層的商業(yè)化進程。與此同時，三星電子的子公司三星電機也在積極推進玻璃載板（又稱玻璃基板）的研發(fā)，并計劃于202
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是德科技與三星聯(lián)合展示基于NVIDIA AI Aerial平臺的AI-for-RAN技術(shù)
- ●? ?開發(fā)新的?AI?模型以增強?RAN?性能和吞吐量，增加系統(tǒng)容量并降低功耗●? ?通過此次合作使三星能夠在全球范圍內(nèi)部署?AI?優(yōu)化的?RAN?軟件●? ?本次演示由?AI-RAN?聯(lián)盟推動，并在?2025?年世界移動通信大會上展示是德科技與三星聯(lián)合展示基于NVIDIA AI Aerial平臺的AI-for-RAN技術(shù)是德
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英特爾再度推遲280億美元芯片廠建設(shè)，恐動搖市場信心
- 【環(huán)球時報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布，其斥資280億美元在俄亥俄州建設(shè)的尖端芯片制造基地將延期5年投產(chǎn)。據(jù)路透社2月28日報道，英特爾表示，在該州的首座晶圓工廠投產(chǎn)時間將從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠預計延至2032年投產(chǎn)。英特爾是獲得美國《芯片與科學法》最多資金支持的本土芯片企業(yè)，美國科技媒體WinBuzzer網(wǎng)站3月1日稱，英特爾此前已將該工廠的建設(shè)計劃由2025年延期至2027年，兩次投產(chǎn)延期引發(fā)人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業(yè)的擔憂。英特爾全球運營執(zhí)行副總裁錢德拉
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)
- 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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三星下一代手機OLED面板來了：同功耗亮度提升1.5倍
- 快科技2月27日消息，三星顯示今天宣布，將于3月3日開幕的MWC2025上展示下一代智能手機OLED面板，在戶外環(huán)境下可實現(xiàn)亮度高達5000尼特。即使在觀看電影等日常使用環(huán)境下，該面板也能提供超過3000尼特的亮度。該面板采用三星顯示全球首個商用的“無偏光片顯示”技術(shù)，即 “OCF (on-cell film)”技術(shù)為基礎(chǔ)開發(fā)而成。而且相同功耗下，這款面板與近期發(fā)布的旗艦智能手機OLED面板相比，亮度提升了約1.5倍。三星顯示表示，OCF技術(shù)不僅提升了戶外可視性，還在降低功耗與創(chuàng)新設(shè)計方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用，
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三星3納米開始量產(chǎn)Exynos 2500
- 韓國媒體 Thebell 報道，三星開始量產(chǎn)新旗艦移動處理器Exynos 2500，晶圓測試最早3月開始，可能首發(fā)三星2025下半年入門級折疊手機Galaxy Z Flip FE。 但3納米GAA良率低問題仍在，目前無法擴大規(guī)模，初期產(chǎn)能只有每月5,000片。三星曾預定2024下半年量產(chǎn)Exynos 2500并搭載Galaxy S25旗艦手機。 但Exynos 2500采第二代3nm GAA良率低，傳聞只有20%，導致Exynos 2500量產(chǎn)延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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三星顯示與英特爾攜手為智能PC市場
- 三星顯示與英特爾合作開發(fā)下一代顯示解決方案，針對英特爾處理器進行優(yōu)化三星顯示與英特爾已簽署一份諒解備忘錄，雙方將在提供針對英特爾處理器優(yōu)化的領(lǐng)先顯示解決方案方面展開合作。三星顯示作為領(lǐng)先的顯示制造商之一，已與英特爾簽署了一份關(guān)于合作開發(fā)下一代顯示屏的諒解備忘錄（MoU）。由于人工智能 PC 的需求激增，兩家公司希望攜手合作，為市場帶來前沿的顯示屏，為英特爾處理器提供更好的特性和優(yōu)化。通過此次合作，兩家公司旨在利用三星顯示屏中的英特爾處理器，打造高性能的信息技術(shù)（IT）設(shè)備和人工智能 PC。三星顯示執(zhí)行副總
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歷史首次！三星將使用長江存儲專利技術(shù)
- 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影
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稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利
- 據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責
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救英特爾對臺積電是好事？ 韓媒怕三星更慘
- 美國總統(tǒng)特朗普上任后劍指臺積電，除了威脅課關(guān)稅，還傳出要求臺積電技術(shù)入股或接手英特爾工廠，韓國學者撰文示警，如果臺美半導體聯(lián)盟未來變得更強大，三星代工業(yè)務市占率恐受沖擊。根據(jù)韓媒《中央日報》報導，傳出特朗普有意利用臺積電，重振陷入困境的英特爾，并確保3納米以下的先進制程技術(shù)發(fā)展。 南韓半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會常務理事安基鉉（音譯）認為，特朗普此前試圖提高關(guān)稅和重新談判補貼，可能是該提案的前奏，雖然與英特爾合作，對臺積電來說是商業(yè)可行性較低的提議，但其要克服美國壓力將十分困難。也有觀點認為，如果臺積電接手英特爾工廠，
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2024年全球半導體TOP10廠商排名
- 根據(jù)市場研究機構(gòu)Gartner的最新報告，2024年全球半導體收入總額達到了6260億美元，同比增長18.1%。預計2025年全球半導體市場將繼續(xù)增長，總收入將進一步增長至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數(shù)據(jù)中心應用（服務器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅(qū)動力。由于對AI和生成式AI工作負載的需求日益增長，數(shù)據(jù)中心在2024年成為了僅次于智能手機的第二大半導體市場，數(shù)據(jù)中心半導體總收入從2023年的648億美元增至112
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消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達
- 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設(shè)計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
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三星、SK海力士計劃停用中國EDA軟件！
- 2月17日消息，據(jù)韓國媒體報道，韓國半導體巨頭SK海力士已開始緊急審查其使用的中國半導體電子設(shè)計自動化（EDA）軟件，以應對美國可能出臺的新政策。這些政策可能會限制韓國半導體公司使用中國軟件，業(yè)界人士透露，SK海力士正在評估其使用的中國EDA軟件是否符合未來政策要求。EDA軟件被稱為“芯片之母”，是芯片設(shè)計和制造過程中不可或缺的工具，用于模擬各種電路設(shè)計并預測結(jié)果。目前，EDA市場主要由美國公司主導，包括新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）和Siemens EDA，這些公司的市場占有率
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晶圓代工2納米之戰(zhàn)，臺積電領(lǐng)先，三星、英特爾能否彎道超車？
- 21世紀以來，全球晶圓代工市場經(jīng)歷了快速發(fā)展和深刻變革。在這個高度專業(yè)化和技術(shù)密集的領(lǐng)域，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等廠商，它們之間的競爭，不僅推動了技術(shù)的進步，也塑造了整個產(chǎn)業(yè)的格局。在晶圓代工市場中，目前持續(xù)推進7納米以下先進制程的大廠，全球僅剩下臺積電、三星與英特爾三家廠商。根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季全球晶圓代工市場，臺積電以64.9%的市占率排名第一，而且較第二季的62.3%成長2.6個百分點，顯示其在市場上的領(lǐng)
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