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三星 sdi 文章 最新資訊

三星推動2納米技術(shù)突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應(yīng)晶體管

  • 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉(zhuǎn)向 2 納米開發(fā)，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的消息人士稱， 商業(yè)時報報道，三星當(dāng)前的 3 納米 GAAFET 技術(shù)大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應(yīng)晶體管節(jié)點相當(dāng)，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應(yīng)晶體管一代的擔(dān)憂。同時，臺積電繼續(xù)擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應(yīng)用變體。該報告指出，這些節(jié)點預(yù)計將仍然是主要客戶的首選。
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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

  • 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計迭代進入第
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搶先臺積電 傳三星將在美國推出2納米

  • 臺積電和三星在晶圓代工領(lǐng)域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設(shè)廠，根據(jù)ZDNet Korea報導(dǎo)，三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程，預(yù)計時間點在明年第一季，以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導(dǎo)也質(zhì)疑，三星先進制程的良率偏低，泰勒工廠能否達到芯片生產(chǎn)階段仍存在不確定性。報導(dǎo)指出，三星計劃將在美國推出首個國產(chǎn)2納米制程，以加強競爭力，據(jù)悉公司已開始為在泰勒工廠的生產(chǎn)線做準(zhǔn)備。 雖然目前美國2納米制程生產(chǎn)尚處在規(guī)劃階段，但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現(xiàn)濃厚興趣，三星對此持樂觀態(tài)度。三星美國廠野心勃勃，
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如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力的中國業(yè)務(wù)

  • 美國商務(wù)部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙，據(jù)路透社報道。引自華爾街日報，Wccftech 指出，工業(yè)與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結(jié)束允許美國芯片設(shè)備制造商向這些公司中國工廠出售關(guān)鍵工具的豁免。報道補充說，這可能導(dǎo)致它們獲取美國制造設(shè)備的規(guī)定更加嚴格。根據(jù) Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
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三星將于二季度恢復(fù)泰勒的潔凈室工作;2 納米刀具計劃 2026 年進場

  • 據(jù)報道，三星正在加緊為其美國代工廠的生產(chǎn)做準(zhǔn)備。據(jù)韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱，該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設(shè)備的計劃。該報告指出，經(jīng)過幾次延誤，三星于 2025 年第二季度恢復(fù)了泰勒工廠的潔凈室建設(shè)。據(jù)報道，一旦潔凈室完工，該公司正計劃引入相關(guān)設(shè)備以開始設(shè)置生產(chǎn)線。值得注意的是，由于這將是初始生產(chǎn)線，因此預(yù)計投資規(guī)模將相對適中。據(jù)韓國媒體 The Elec 報道，當(dāng)三星于 2021 年底首
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如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力士的中國業(yè)務(wù)

  • 據(jù)路透社報道，美國商務(wù)部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業(yè)務(wù)制造新的障礙。
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SK 海力士據(jù)報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距

  • 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當(dāng)前領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預(yù)計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報道補充說，英偉達緊張的生產(chǎn)進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
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據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

  • 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv

  • 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標(biāo)志著三星在芯粒互聯(lián)技術(shù)上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯粒互聯(lián)接口）是一種通用的芯?；ヂ?lián)標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術(shù)已具備向商業(yè)量產(chǎn)邁進的能力。
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中韓顯示面板廠商再起訴訟

  • 就在三星顯示（Samsung Display）近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際，韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美國德州東區(qū)地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發(fā)起了專利侵權(quán)損害賠償和陪審團審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同，此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板，尤其是應(yīng)用在目前汽車行業(yè)，此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項美國專利：US8,416,166（
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2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

  • 在持續(xù)進行的半導(dǎo)體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
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Cadence 和三星將人工智能應(yīng)用于 SoC、3D-IC 和芯片設(shè)計

  • Cadence 和三星晶圓廠擴大了他們的合作，簽訂了一項新的多年 IP 協(xié)議，并在最新的 SF2P 和其他先進工藝節(jié)點上聯(lián)合開發(fā)先進的 AI 驅(qū)動流程。具體來說，這項多年的 IP 協(xié)議將擴展 Cadence 內(nèi)存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進工藝節(jié)點上。通過利用 Cadence 的 AI 驅(qū)動設(shè)計技術(shù)和三星的先進 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點，這項合作旨在為 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應(yīng)用提供高性能、低功耗的解決方案?！拔覀冎С衷谌?/li>
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DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?！备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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玻璃基板，陷入白熱化

  • 一塊厚度不足毫米的玻璃板，正引發(fā)英特爾、三星和臺積電之間一場靜悄悄的競賽。
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據(jù)報道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗證中受挫，計劃于九月重新測試

  • 作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關(guān)鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師，該公司現(xiàn)在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產(chǎn)品仍需進行完整封裝驗證。另一方面，SR Times 建
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