三星 sdi 文章進(jìn)入三星 sdi技術(shù)社區(qū)

消息稱三星電子再獲 2nm 訂單，為安霸 Ambarella 代工高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)芯片

IT之家?9 月 11 日消息，韓媒 The Elec 今日援引行業(yè)消息源報(bào)道稱，三星電子又收獲一份 2nm 制程先進(jìn)工藝代工訂單，將為美國(guó)無(wú)廠邊緣 AI 半導(dǎo)體企業(yè)安霸 Ambarella 生產(chǎn) ADAS（IT之家注：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）芯片。知情人士表示，三星近期成功中標(biāo)安霸的代工訂單，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)于 2025 年流片，計(jì)劃 2026 年量產(chǎn)。根據(jù)三星今年 6 月公布的 2nm 家族路線圖，初代 SF2 工藝將于 2025 年量產(chǎn)，而面向車用環(huán)境的 SF2A 量產(chǎn)時(shí)間落在 2027 年。若市場(chǎng)
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高通正聯(lián)手三星、谷歌合作開(kāi)發(fā)混合現(xiàn)實(shí)眼鏡

近日，高通首席執(zhí)行官克里斯蒂亞諾?阿蒙在受訪時(shí)透露，該公司正在與三星和谷歌開(kāi)展合作，研究與智能手機(jī)相連的混合現(xiàn)實(shí)（MR）眼鏡，旨在打造獨(dú)特的產(chǎn)品解決方案。據(jù)悉，這種混合現(xiàn)實(shí)智能眼鏡可能更輕便，更側(cè)重于與智能手機(jī)的配合使用。對(duì)于此次合作，阿蒙表示，衷心希望通過(guò)這次合作，能夠讓所有擁有智能手機(jī)的人都能夠購(gòu)買與之配套的眼鏡。據(jù)了解，谷歌、三星和高通早在去年2月就已達(dá)成合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)MR技術(shù)。
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢(shì)，IT、電信和汽車等行業(yè)對(duì)其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。去年6月，在美國(guó)硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。”根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國(guó)愛(ài)思
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消息稱三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開(kāi)發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級(jí)） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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英特爾欲退出代工競(jìng)賽三星得利？韓媒嘆真相難堪

美國(guó)芯片大廠英特爾正重新考慮放棄賠錢的代工業(yè)務(wù)，外界關(guān)注是否會(huì)讓三星受益，但韓媒保守看待，直指三星想在2030年擊敗臺(tái)積電，似乎是一個(gè)不切實(shí)際的目標(biāo)。根據(jù)《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》報(bào)導(dǎo)，有專家表示，三星尋求在臺(tái)積電主導(dǎo)的代工市場(chǎng)里分一杯羹，雖然英特爾的退出可能是有利的，因?yàn)橄凉撛诘耐{，不過(guò)成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂，英特爾一直在虧損，累計(jì)上半年虧損已達(dá)53億美元，如果英特爾決定出售代工業(yè)務(wù)，三星有機(jī)會(huì)擴(kuò)大業(yè)務(wù)，但臺(tái)積電和三星都被視為可能的潛在買家，臺(tái)積電又是強(qiáng)敵。行業(yè)觀察人士認(rèn)為，三星要在2030年擊敗臺(tái)
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三星被臺(tái)積電狠打韓媒嘆自信心都快沒(méi)了

韓廠三星對(duì)于維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位信心漸失？根據(jù)韓媒朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，三星從2020年財(cái)報(bào)以來(lái)，財(cái)報(bào)內(nèi)已不見(jiàn)「世界第一」（world's first）的措辭。雖然三星技術(shù)上不斷追趕臺(tái)積電腳步，但產(chǎn)能與良率仍有明顯差距。報(bào)導(dǎo)分析三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門這10年來(lái)的財(cái)報(bào)，從2014年到2019年，三星每份財(cái)報(bào)都提到推出全球第一個(gè)新產(chǎn)品，并強(qiáng)調(diào)領(lǐng)先對(duì)手的差距，高度展現(xiàn)其信心。2020年碰到疫情，三星當(dāng)時(shí)坦承對(duì)市場(chǎng)環(huán)境構(gòu)成挑戰(zhàn)，仍抱持樂(lè)觀態(tài)度，但「世界第一」一詞，從這時(shí)開(kāi)始在三星財(cái)報(bào)消失。三星的2021年和2022年財(cái)報(bào)
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三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光

三星為了與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)大絕盡出，根據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。三星代工制程設(shè)計(jì)套件（PDK）開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時(shí)采用BSPDN技術(shù)。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進(jìn)而排除電與
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三星攜手高通助力高級(jí)車載信息娛樂(lè)與高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)

三星電子今日宣布，其用于高級(jí)車載信息娛樂(lè)（IVI）和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的LPDDR4X車載內(nèi)存，已通過(guò)高通最新的驍龍? 數(shù)字底盤?平臺(tái)驗(yàn)證。這不僅證明了三星LPDDR4X車載存儲(chǔ)器的卓越性能，也體現(xiàn)了三星在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的深厚技術(shù)實(shí)力和長(zhǎng)期支持客戶的堅(jiān)實(shí)承諾。三星和高通攜手共同助力高級(jí)車載信息娛樂(lè)（IVI）和高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）"三星豐富的DRAM和NAND車規(guī)產(chǎn)品組合，且均通過(guò)了AEC-Q100[1]驗(yàn)證。因此，三星是高通技術(shù)公司攜手共進(jìn)、為客戶打造長(zhǎng)期解決方案的理想伙伴
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三星 VR 頭顯跑分曝光：16GB 內(nèi)存、驍龍 XR2+ Gen 2 芯片、安卓 14 系統(tǒng)

IT之家 8 月 27 日消息，科技媒體 91Mobile 今天（8 月 27 日）發(fā)布博文，表示其在 GeekBench 跑分庫(kù)上發(fā)現(xiàn)了三星頭顯設(shè)備的蹤跡，6.3.0 版本最高單核成績(jī)?yōu)?1088 分，多核成績(jī)?yōu)?2093 分。IT之家查詢 GeekBench 跑分庫(kù)，發(fā)現(xiàn)三星頭顯設(shè)備型號(hào)為“SM-I130”，目前共有 7 條跑分記錄，均為 8 月 26 日上傳。根據(jù)跑分庫(kù)信息，該頭顯運(yùn)行安卓 14 系統(tǒng)，配備六核處理器，基本時(shí)鐘頻率為 2.36 GHz，從配置來(lái)看應(yīng)該是驍龍 XR2
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LTPO技術(shù)能否讓三星重新引領(lǐng)OLED市場(chǎng)？

三星2024年上半年在全球智能手機(jī)OLED顯示屏市場(chǎng)的份額，由去年上半年的51.6%降到了43.8%。三星希望通過(guò)LTPO技術(shù)等方式，在OLED顯示屏領(lǐng)域和整體上獲得更大的份額
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三星驚爆侵權(quán) 哈佛大學(xué)怒提告

韓三星電子今年第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收超車臺(tái)積電，時(shí)隔2年重回半導(dǎo)體王者寶座。不過(guò)據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)知名學(xué)府哈佛大學(xué)指控三星在微處理器與內(nèi)存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項(xiàng)專利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機(jī)。綜合路透社等外媒報(bào)導(dǎo)，三星已遭哈佛大學(xué)在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學(xué)指控，三星生產(chǎn)微處理器與內(nèi)存芯片的技術(shù)侵犯了該?；瘜W(xué)教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實(shí)驗(yàn)室的博士后或研究生。哈佛大學(xué)的律師在訴狀中宣稱，三星未經(jīng)授權(quán)在其微芯片、智能型手機(jī)與半導(dǎo)體
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付

三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒(méi)有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試？三星回應(yīng)稱并不屬實(shí)

IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。現(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，三星電子回應(yīng)稱該報(bào)道并不屬實(shí)。對(duì)于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無(wú)法證實(shí)與客戶相關(guān)的報(bào)道，但該報(bào)道不屬實(shí)?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測(cè)試仍在進(jìn)行中，與上月財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)的情況相比沒(méi)有任何變化。此前路透社的報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試，并將于第四季度開(kāi)始供貨。IT之家注意到
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外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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三星超車臺(tái)積電重登半導(dǎo)體王者寶座

在AI熱潮帶動(dòng)下，不僅臺(tái)積電賺飽飽，就連臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀認(rèn)證為最大勁敵的三星電子，也受惠于AI市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收年增94%至28.56兆韓元，為2022年第2季后，時(shí)隔2年超車臺(tái)積電，重新登上半導(dǎo)體王者寶座。三星電子今（31）日公布第2季財(cái)報(bào)，受惠于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，整體營(yíng)收年增23%至74.07兆韓元，營(yíng)業(yè)利益較去年同期飆升近15倍至10.44兆韓元，為2022年第3季以來(lái)首次超過(guò)10兆韓元。三星電子在7月初公布初步財(cái)報(bào)時(shí)，并未公布各項(xiàng)業(yè)務(wù)的具體營(yíng)收，但在臺(tái)積電公布第2季營(yíng)收為新臺(tái)
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