消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)

2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。

消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。

IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該 DRAM 屬于第五代 10 納米產(chǎn)品，主要用于 HBM3E。由于面臨上述問題，三星曾計劃改用 1a DRAM（1b DRAM 的前代產(chǎn)品）來生產(chǎn) HBM3E 8H 和 12H，并計劃跳過 1b DRAM，直接使用 1c DRAM 生產(chǎn) HBM4。然而，由于英偉達(dá)堅持要求使用 1b DRAM，三星不得不重新調(diào)整計劃。此次三星副董事長兼 DS 部門負(fù)責(zé)人 Young Hyun Jun 的訪問，很可能是為了確保三星能夠贏得英偉達(dá)的 HBM3E 訂單。

目前，三星的競爭對手 SK 海力士已經(jīng)向英偉達(dá)供應(yīng)采用 1b DRAM 生產(chǎn)的 HBM3E 12H，美光也預(yù)計將在近期開始生產(chǎn)面向英偉達(dá)的人工智能加速器所需的 HBM。

上個月，三星曾表示其“改進(jìn)版”HBM3E 的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，并計劃于今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。Young Hyun Jun 不僅是 DS 部門的負(fù)責(zé)人，還兼任該部門下的內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，他作為 DRAM 領(lǐng)域的專家，被認(rèn)為主導(dǎo)了 1b DRAM 的設(shè)計改進(jìn)工作。

在 1 月份的 CES 展會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛曾表示，三星需要重新設(shè)計其 HBM，以通過英偉達(dá)的資格認(rèn)證。