三星 sdi 文章進(jìn)入三星 sdi技術(shù)社區(qū)

消息稱三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Galaxy S25 手機(jī)尚不明朗

IT之家 6 月 21 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未來(lái)能否用于 Galaxy S25 系列手機(jī)尚不明朗。韓媒報(bào)道指出，三星電子一般要到芯片良率超過(guò) 60% 后才會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)手機(jī) SoC，目前的良率水平離這條標(biāo)準(zhǔn)線還有不小距離。三星電子為 Exynos 2500 芯片量產(chǎn)定下的最晚時(shí)間是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部門還有一段時(shí)間提升下代旗艦自研手機(jī) SoC 的良率。如果到時(shí)良率仍然不足，那三
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英偉達(dá)、臺(tái)積、三星互搶半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)

眼看人工智能（AI）市場(chǎng)需求快速擴(kuò)大，全球半導(dǎo)體業(yè)爭(zhēng)奪人才的競(jìng)爭(zhēng)日益白熱化。韓媒披露，根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù)，AI芯片龍頭英偉達(dá)有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達(dá)挖來(lái)278人，還從臺(tái)積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達(dá)，還是最大贏家。韓國(guó)朝鮮日?qǐng)?bào)20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計(jì)，英偉達(dá)近日新進(jìn)員工有89人是從臺(tái)積電跳槽，反觀臺(tái)積電僅12名新進(jìn)人員是從英偉達(dá)跳槽。英偉達(dá)也有515名新進(jìn)員工是從三星電子
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三星新旗艦手機(jī)將棄自家芯片

三星下一代旗艦手機(jī)Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預(yù)期，導(dǎo)致無(wú)法出貨，而臺(tái)積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨(dú)家代工廠，可望跟著受惠。若上述消息成真，對(duì)韓國(guó)最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺(tái)積電車尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺(tái)X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預(yù)期，可能導(dǎo)致無(wú)法出貨。而
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臺(tái)積電漲價(jià)卻滿手訂單韓媒低頭認(rèn)三星2大敗筆

臺(tái)積電3納米產(chǎn)能供不應(yīng)求，預(yù)期訂單滿至2026年，日前傳出臺(tái)積電3納米代工價(jià)調(diào)整上看5％以上，先進(jìn)封裝明年年度報(bào)價(jià)也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺(tái)積電漲價(jià)三星并未獲得轉(zhuǎn)單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價(jià)格，而是高良率與先進(jìn)制程的可靠生產(chǎn)力。韓媒BusinessKorea以「臺(tái)積電漲價(jià)仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛6月初在臺(tái)北國(guó)際計(jì)算機(jī)展期間，曾表示支持臺(tái)積電提高代工價(jià)格，并表示蘋果、高通等也將會(huì)接受臺(tái)積電漲價(jià)。由于臺(tái)積電3納米供應(yīng)嚴(yán)重短缺，產(chǎn)生繼續(xù)漲價(jià)的空間，報(bào)導(dǎo)續(xù)
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NAND市場(chǎng)，激戰(zhàn)打響

隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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AI人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)白熱化！三星出招應(yīng)對(duì)員工跳槽英偉達(dá)

隨著AI風(fēng)潮席卷全球，相關(guān)人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)已經(jīng)逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達(dá)更是許多工程師心中的夢(mèng)幻企業(yè)。不過(guò)據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，在英偉達(dá)大力吸引韓國(guó)在內(nèi)的全球工程師之際，人才流失嚴(yán)重的三星電子也不甘示弱從英偉達(dá)挖角，連臺(tái)積電、美光與英特爾等半導(dǎo)體廠商都成為挖角對(duì)象。韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》以招聘平臺(tái)領(lǐng)英的數(shù)據(jù)所做的分析結(jié)果顯示，在英偉達(dá)的員工當(dāng)中，有515人（以加入領(lǐng)英為基準(zhǔn)）來(lái)自三星電子，而三星則從英偉達(dá)挖走278人。面對(duì)龐大的人才流失，三星除了從英偉達(dá)挖角，還從臺(tái)積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來(lái)自于
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三星殺進(jìn)英偉達(dá)后院？投資GPU撈過(guò)界

不當(dāng)AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元（GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達(dá)正面競(jìng)爭(zhēng)。業(yè)界認(rèn)為，此投資案可望強(qiáng)化三星在GPU領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導(dǎo)體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。韓媒Business Korea報(bào)導(dǎo)，三星投資GPU的細(xì)節(jié)并未對(duì)外揭露，但這次決策與以往專注于內(nèi)存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場(chǎng)人士解讀，這項(xiàng)投資是三星的內(nèi)部策略，目的在于利用GPU來(lái)提升半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，而不是要開(kāi)發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級(jí)美國(guó)德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

根據(jù)韓國(guó)媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國(guó)德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國(guó)廠和英特爾的競(jìng)爭(zhēng)。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國(guó)德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計(jì)劃于2024年底開(kāi)始分階段運(yùn)營(yíng)。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星公布新工藝節(jié)點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日，三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒?dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過(guò)將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計(jì)算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門智能手表市場(chǎng)

三星樂(lè)觀看待智慧手表市場(chǎng)成長(zhǎng)趨勢(shì)，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍(lán)寶石玻璃設(shè)計(jì)及亮眼外型、完善的運(yùn)動(dòng)追蹤與全方位健康監(jiān)測(cè)功能，以親民價(jià)格即享眾多優(yōu)異體驗(yàn)。Galaxy Watch FE（藍(lán)牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價(jià)NT$5,990，自6月下旬起于全臺(tái)各大通路正式上市，消費(fèi)者凡于7月16日前在全通路購(gòu)買三星不限型號(hào)手機(jī)或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購(gòu)Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開(kāi)啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗(yàn)。三星電子行動(dòng)通訊
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降低對(duì)臺(tái)積電的依賴！高通考慮臺(tái)積電三星雙代工模式

6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時(shí)表示，公司正在認(rèn)真評(píng)估臺(tái)積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場(chǎng)，這顆芯片完全交由臺(tái)積電代工，采用臺(tái)積電N3E節(jié)點(diǎn)，這是臺(tái)積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺(tái)積電3nm工藝，出于對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計(jì)劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計(jì)劃。不過(guò)高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國(guó)將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國(guó)將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國(guó)財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開(kāi)始使用GAA技術(shù)，臺(tái)積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖，增強(qiáng)AI芯片代工競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)彭博社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖，以增強(qiáng)其在AI人工智能芯片代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。三星預(yù)測(cè)，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶名單將擴(kuò)大五倍，收入將增長(zhǎng)九倍。報(bào)道指出，三星電子公布了對(duì)未來(lái)人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中，一項(xiàng)重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。據(jù)三星介紹，該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時(shí)還能顯著降低電壓降。三星還強(qiáng)調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝方面的綜合能力。三星認(rèn)為，這將有助于公司贏
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