三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。

因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線

進(jìn)入5nm制程時，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。

為了滿足客戶需求，三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。

目前在代工領(lǐng)域，臺積電拿下了全球60%以上的份額，其中7nm以下的制程拿下了90%的份額，3nm制程更是幾乎拿下100%的份額。英偉達(dá)、蘋果和AMD的核心產(chǎn)品都依賴臺積電先進(jìn)制程及封裝技術(shù)，三星未能拿下任何訂單。因良率無法縮小與臺積電差距，客戶被迫放棄與三星合作，預(yù)計三星非存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)虧損將達(dá)到3.85億美元。

由于三星晶圓代工的良率和效能問題，以及未能獲得主要客戶的訂單，導(dǎo)致訂單不足和虧損不斷增加，迫使三星實(shí)施節(jié)約成本的措施。近期，三星電子的半導(dǎo)體部門采取了暫時關(guān)閉代工生產(chǎn)線的措施，包括平澤2廠（P2）和3廠（P3）的4nm、5nm與7nm晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超過30% —— 關(guān)閉低產(chǎn)能的生產(chǎn)線并減少電力成本被認(rèn)為是更為劃算的選擇，預(yù)計到年底將停產(chǎn)范圍擴(kuò)大至50%左右。

三星把希望放在了下一代2nm GAA技術(shù)，將專注于工藝/內(nèi)部開發(fā)，以確保移動/高性能計算客戶的安全。期待通過2nm成功量產(chǎn)重新取得主要客戶的訂單，并通過與存儲器業(yè)務(wù)合作，重點(diǎn)確保HBM芯片解決方案的新客戶。

不能再錯失HBM存儲市場

三星在HBM領(lǐng)域起步較晚，自2016年開始量產(chǎn)HBM2，并逐步推出HBM2E和HBM3產(chǎn)品。然而，由于技術(shù)誤判，三星在2019年解散了HBM研發(fā)團(tuán)隊(duì)，直到2023年下半年重新啟動了HBM3的研發(fā)，2024年初，成立了新的HBM團(tuán)隊(duì)專注于HBM3E和HBM4的研發(fā)。

這導(dǎo)致其在HBM3的研發(fā)上落后于競爭對手SK海力士，未能獲得英偉達(dá)HBM的訂單，沒能趕上AI浪潮對存儲市場的爆發(fā)式增長需求?，F(xiàn)在，SK海力士在HBM市場占據(jù)主導(dǎo)地位，2024年第三季度，SK海力士的HBM銷售額同比暴漲330%，創(chuàng)下歷史新高。

不過英偉達(dá)對HBM芯片的供應(yīng)追求多元化，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛在多個場合表示，英偉達(dá)正在對三星的HBM芯片進(jìn)行資格認(rèn)證，并計劃在未來使用它們。10月31日，三星表示已經(jīng)完成了主要客戶公司質(zhì)量測試的主要階段，預(yù)計第四季度（10~12月）銷量將有所擴(kuò)大，業(yè)界認(rèn)為這個主要客戶就是英偉達(dá)。

從ChatGPT面世以來，與AI相關(guān)的產(chǎn)品需求強(qiáng)勁，HBM這類高性能存儲芯片也是其中利潤豐厚的市場之一。三星在全球HBM領(lǐng)域的排名僅落后于SK海力士，據(jù)SemiAnalysis的估計，SK海力士占據(jù)了約73%的份額，而三星以22%的份額位居第二，美光則排名第三，占據(jù)約5%的市場份額。

三星過度依賴傳統(tǒng)存儲芯片而未及時轉(zhuǎn)向AI和高性能計算市場，但傳統(tǒng)存儲芯片受產(chǎn)業(yè)周期影響較大。而HBM現(xiàn)在是DRAM的“明星”代表產(chǎn)品，若此情況持續(xù)，三星可能會失去第一大DRAM供應(yīng)商的地位。盡管三星在智能手機(jī)和家電業(yè)務(wù)等板塊銷售表現(xiàn)出色，但考慮到芯片業(yè)務(wù)通常具有更高的利潤率和戰(zhàn)略重要性，這部分業(yè)務(wù)只能部分緩解整體的業(yè)績壓力。

展望2024年第一季度以及2025年，三星將加強(qiáng)以利潤為中心的業(yè)務(wù)競爭力，計劃擴(kuò)大HBM的產(chǎn)能與銷售；加快向1b（DDR5第五代10納米級DRAM）過渡，以滿足基于32Gb DDR5的高密度服務(wù)器需求；通過進(jìn)一步擴(kuò)大基于V8（第8代V-NAND）的PCIe 5.0的銷售和高密度QLC大規(guī)模產(chǎn)品的銷售，鞏固市場競爭力。

全球范圍進(jìn)行裁員

最近有傳言稱，三星要將一些在代工廠工作的人員重新分配到存儲業(yè)務(wù)部門。三星證券也一直在強(qiáng)調(diào)戰(zhàn)略變革的必要性，建議三星電子分拆代工業(yè)務(wù)。10月7日，三星電子會長李在镕在接受采訪時表示，“我們希望發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)，對剝離它們不感興趣”，無意分拆代工芯片制造及邏輯芯片設(shè)計業(yè)務(wù)，顯示出三星意在維持IDM模式，即垂直整合制造模式。然而，這也意味著三星在短期內(nèi)需要面對更大的整合管理壓力，尤其是在技術(shù)路線統(tǒng)一和資源高效分配上。

巨大壓力下，三星計劃今年在全球范圍進(jìn)行裁員，有消息指出某些部門將裁減30%的海外員工。三星高管透露，將實(shí)施前所未有的四輪大規(guī)模自愿退休計劃，特別是針對持續(xù)虧損的晶圓代工制造團(tuán)隊(duì)，8英寸代工制造和技術(shù)團(tuán)隊(duì)將裁員30%以上。

第一輪自愿退休將針對工作超過15年但5年內(nèi)未獲得等級提升的CL3級員工；第二輪自愿退休將給予工作時間持續(xù)10年以上的員工。若目標(biāo)未達(dá)成，第三輪將擴(kuò)大至全體員工，最后的第四輪將控制到僅維持正常運(yùn)營。預(yù)計賠償總計約4億韓元（約合28.66萬元美元），其中包括基于CL3的遣散費(fèi)和四個月的工資3.8億韓元。

隨著三星逐步關(guān)閉一些晶圓代工生產(chǎn)線，必然會對相應(yīng)的產(chǎn)線員工進(jìn)行裁員，這一舉措還與第三季度財報中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的不佳表現(xiàn)密切相關(guān)。據(jù)三星公布的第三季度財報顯示，半導(dǎo)體部門第三季度營業(yè)利潤為3.86萬億韓元（約28億美元），較上一季度下降40%。

三星還能追上臺積電嗎？

三星在傳統(tǒng)芯片和先進(jìn)芯片領(lǐng)域正面臨著日益激烈的競爭，特別是在攸關(guān)未來發(fā)展的HBM芯片開發(fā)上落后于對手，又在代工領(lǐng)域落后于臺積電。因被質(zhì)疑“踏空”人工智能熱潮，市場開始看空三星電子。臺積電在良率和工藝穩(wěn)定性上領(lǐng)先三星，且其全球供應(yīng)鏈更加穩(wěn)固，而三星的投資周期較長、生產(chǎn)效率相對較低，某種程度上限制了它的市場拓展空間。

除了采取開源節(jié)流的措施，三星還進(jìn)一步重申其芯片戰(zhàn)略。從工藝角度，三星在努力確保3nm和2nm市場的客戶，加速建設(shè)生產(chǎn)設(shè)施，一直在擴(kuò)大資本支出，以保持在先進(jìn)工藝方面的競爭力，但它在財務(wù)方面的壓力也對發(fā)展形成了制約。

三星的業(yè)務(wù)非常多元化，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的年投資額超過了臺積電，但三星的投資并不僅限于代工業(yè)務(wù)，還包括內(nèi)存制造以及其他方面。這種多元化的投資組合可能導(dǎo)致三星在代工領(lǐng)域的投資不如臺積電專注和高效。

三星與臺積電的競爭在7nm后拉開了差距，在晶體管密度這一關(guān)鍵指標(biāo)上，三星的表現(xiàn)始終未能超過臺積電。最終導(dǎo)致了在代工業(yè)務(wù)上的專業(yè)度不如臺積電，在芯片性能戰(zhàn)走向3nm這種接近極致高度的時候拉開差距，之后大量客戶倒向了臺積電。

三星晶圓代工一直是三星集團(tuán)的核心技術(shù)與重要的業(yè)務(wù)之一。早年，三星在芯片代工市場與臺積電是并列雙雄，兩者在芯片制造技術(shù)方面幾乎同步。為了取得領(lǐng)先位置，在3nm制程上三星選擇首先采用GAAFET晶體管技術(shù)，而臺積電則依舊采用的是FinFET晶體管技術(shù)。

有分析認(rèn)為，三星消減成本的措施可能會對其在代工領(lǐng)域的競爭力產(chǎn)生負(fù)面影響。由于三星將重點(diǎn)放在了存儲芯片業(yè)務(wù)上，代工業(yè)務(wù)已經(jīng)被邊緣化。隨著生產(chǎn)設(shè)施的逐步關(guān)停，三星與臺積電之間的差距可能會進(jìn)一步拉大，追趕之路將愈發(fā)艱難。