三星 sdi 文章進(jìn)入三星 sdi技術(shù)社區(qū)

美光攜手三星打造Galaxy S24系列，開(kāi)啟移動(dòng)AI體驗(yàn)時(shí)代

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存存儲(chǔ)，為全球手機(jī)用戶帶來(lái)強(qiáng)大的人工智能（AI）體驗(yàn)。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)障礙通信并且最大限度地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)作自由，從而進(jìn)一步提升用戶體驗(yàn)。隨著數(shù)據(jù)密集型和功耗密集型應(yīng)用不斷推動(dòng)智能手機(jī)的硬件性能達(dá)到極致，美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
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全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢(shì)增長(zhǎng)的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來(lái)AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場(chǎng)動(dòng)靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲(chǔ)兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時(shí)，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動(dòng)、被劃進(jìn)國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時(shí)間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲(chǔ)器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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三星全新microSD，憑借高性能和大容量助力移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)AI

三星電子今日宣布，已開(kāi)始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲(chǔ)卡樣品，該款存儲(chǔ)卡順序讀取速度最高可達(dá)800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存儲(chǔ)卡現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品的推出，三星將著力打造差異化存儲(chǔ)解決方案，更好滿足未來(lái)移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求。"來(lái)自移動(dòng)計(jì)算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新micro SD卡為應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲(chǔ)事業(yè)
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消息稱三星背面供電芯片測(cè)試結(jié)果良好，有望提前導(dǎo)入

IT之家 2 月 28 日消息，據(jù)韓媒 Chosunbiz 報(bào)道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測(cè)試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來(lái)越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。對(duì)于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化?！?n
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。 &n
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AI-RAN聯(lián)盟成立，推動(dòng)5G/6G網(wǎng)絡(luò)人工智能進(jìn)化

據(jù)三星官網(wǎng)消息，2月26日，AI-RAN 聯(lián)盟在巴塞羅那 MWC2024 世界通信大會(huì)上正式成立，旨在通過(guò)與相關(guān)公司合作，將人工智能（AI）技術(shù)融入蜂窩移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，推動(dòng)5G及即將到來(lái)的6G通信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)步，以改善移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)效率、降低功耗和改造現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉，該組織共有11個(gè)初始成員，其中包括：三星、ARM、愛(ài)立信、微軟、諾基亞、英偉達(dá)、軟銀等行業(yè)巨頭。聯(lián)盟將合作開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的新技術(shù)，以及將這些技術(shù)應(yīng)用到商業(yè)產(chǎn)品中，為即將到來(lái)的 6G 時(shí)代做好準(zhǔn)備。據(jù)了解，AI-RAN 聯(lián)盟將重點(diǎn)關(guān)注三大研究和創(chuàng)新領(lǐng)域：AI
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半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵——晶圓專題

半導(dǎo)體已經(jīng)與我們的生活融為一體，我們?nèi)粘Ｉ畹脑S多方面，包括手機(jī)、筆記本電腦、汽車、電視等，都離不開(kāi)半導(dǎo)體。而制造半導(dǎo)體所需的多任務(wù)流程被分為幾個(gè)基本工藝，這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說(shuō)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，因?yàn)榘雽?dǎo)體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過(guò)在晶圓的基板上創(chuàng)建許多相同的電路來(lái)制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤，由硅或砷化鎵等元素制成。大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國(guó)的硅谷始于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，最終成為全球軟件產(chǎn)業(yè)的中心。據(jù)報(bào)道，它的名字是半導(dǎo)體原材料“硅”和圣克拉拉
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三星啟動(dòng)新的半導(dǎo)體部門，旨在開(kāi)發(fā)下一代AGI芯片

據(jù)報(bào)道，三星已在硅谷成立了一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)組織，旨在開(kāi)發(fā)下一代AGI芯片。三星不打算就此止步，因?yàn)樗麄儧Q定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導(dǎo)體部門一擁而上，比其他公司更早三星電子，特別是其鑄造部門，在擴(kuò)大半導(dǎo)體能力方面正在迅速進(jìn)展，公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶。然而，在人工智能時(shí)代，與像臺(tái)積電這樣的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，三星在AI方面沒(méi)有取得顯著進(jìn)展，因?yàn)樵摴疚茨芤鹣馧VIDIA這樣的公司對(duì)半導(dǎo)體的關(guān)注，但看起來(lái)這家韓國(guó)巨頭計(jì)劃走在前面，隨著世界轉(zhuǎn)向AGI主導(dǎo)的技術(shù)領(lǐng)域。相關(guān)故事報(bào)告顯示去年銷售
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三星調(diào)整芯片工廠建設(shè)計(jì)劃，應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求變化

IT之家 2 月 20 日消息，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)雖然面臨著持續(xù)的挑戰(zhàn)，但該公司仍對(duì)今年下半年的市場(chǎng)前景持樂(lè)觀態(tài)度。為了提高效率并更好地響應(yīng)市場(chǎng)需求，三星正在對(duì)其芯片工廠進(jìn)行一些調(diào)整。具體而言，三星正在調(diào)整位于韓國(guó)平澤的 P4 工廠的建設(shè)進(jìn)度，以便優(yōu)先建造 PH2 無(wú)塵室。此前，三星曾宣布暫停建設(shè) P5 工廠的新生產(chǎn)線。三星正在根據(jù)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)調(diào)整其建設(shè)計(jì)劃。平澤是三星主要的半導(dǎo)體制造中心之一，是三星代工業(yè)務(wù)的集中地，也是該公司生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的地方。目前，P1、P2 和 P3 工廠已經(jīng)投入運(yùn)營(yíng)，P4 和
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷

最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測(cè)。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級(jí)之處在于將采用全新的
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測(cè)試發(fā)現(xiàn)三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

?2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一樣，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架，以提升手機(jī)的耐用性和輕量化程度。然而，兩款手機(jī)的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過(guò)火燒測(cè)試，揭示了其中的奧秘。此前，JerryRigEverything 已經(jīng)對(duì) iPhone 15 Pro Max 進(jìn)行了同樣的測(cè)試，發(fā)現(xiàn)其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無(wú)損。這并不令人意外，因?yàn)闇y(cè)試所用的熔爐溫度不足以熔
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國(guó)科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布

2月5日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃明年在韓國(guó)開(kāi)始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國(guó)投資500萬(wàn)億韓元，建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹Ｗ鳛槿亲畲蟮母?jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開(kāi)始投入2nm制程量產(chǎn)

2月5日消息，三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開(kāi)始投入2nm制程量產(chǎn)。此前，韓國(guó)政府1月中旬表示，三星公司計(jì)劃到2047年在首爾南部投資500萬(wàn)億韓元建設(shè)“超大集群”半導(dǎo)體項(xiàng)目，將重點(diǎn)生產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)品，包括使用2nm工藝制造的芯片。
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號(hào)

2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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