- 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產量，眼下正試圖推動
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三星 NAND flash 漲價
- 由于8英寸晶圓代工需求不振，截至第二季，三星電子晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry產能利用率不到50%。業(yè)界人士透露，目前Samsung Foundry已將3成機臺停機，但隨著庫存進一步降低，有望年底前重啟機臺，明年再度運轉。先前韓媒TheElec就曾報導，目前IT產業(yè)需求偏低，韓國晶圓代工廠也決定將8英寸晶圓服務砍價10%。截至第二季，三星電子晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry、韓國晶圓代工業(yè)者Key Foundry產能利用率都介于40~50%之間。8英寸晶圓服務主要生產電源管理IC、面
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三星 8英寸廠
- 三星和AMD合作，與vRAN一起推進網絡轉型新的合作將為運營商解鎖更廣泛的選擇，以利用三星的vRAN解決方案和生態(tài)系統(tǒng)構建高容量、高能效的網絡三星電子今天宣布與AMD進行新的合作，以推進5G虛擬化RAN（vRAN）進行網絡轉型。這種合作代表了三星持續(xù)致力于豐富vRAN和Open RAN生態(tài)系統(tǒng)，以幫助運營商以無與倫比的靈活性和優(yōu)化性能構建移動網絡并使其現代化。 兩家公司在三星實驗室完成了幾輪測試，以驗證使用FDD頻段和TDD大規(guī)模MIMO寬帶的高容量和電信級性能，同時大幅降低功耗。在這次聯合合作
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三星，AMD，vRAN
- 三星電子宣布已開發(fā)出其首款
7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）
市場，甚至改變數據中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。三星LPCAMM內存模組結構示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組）。然而受結構限制，LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修
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三星 LPCAMM 內存 內存模組
- 據《韓國經濟日報》援引未具名行業(yè)消息來源報道稱，三星電子面向主要智能手機制造商的DRAM和NAND閃存芯片價格上調了10-20％。主要智能手機制造商包括小米、OPPO和谷歌。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場的需求可能大于供應。消息人士指出，這家芯片制造商計劃以更高的價格向生產Galaxy系列智能手機的三星移動業(yè)務部門供應存儲芯片，以反映移動芯片價格上漲的趨勢。此前，為應對需求持續(xù)減弱，三星宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主。據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商
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三星 存儲芯片
- 據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產新一代HBM產品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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三星 HBM4
- 芯片升級的兩個永恒主題 —— 性能、體積/面積，而先進制程和先進封裝的進步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進。芯片系統(tǒng)性能的提升可以完全依賴于芯片本身制程提升
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封裝 半導體 臺積電 三星 英特爾 芯片
- IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 內存
- IT之家 9 月 12 日消息，據韓國《電子日報》昨日報道，三星電子正在使用微軟的 Azure OpenAI 服務創(chuàng)建一個 AI 聊天機器人，用于協(xié)助三星公司內部的工作?！?圖源 韓國《電子日報》據悉，三星正在與微軟合作進行一項“內部生成式 AI 開發(fā)”，而這一計劃中涉及的 AI，能夠處理翻譯以及文檔摘要等任務，并將使用由 OpenAI 開發(fā)的“GPT-4”和“GPT-3.5”LLM 來完成，目前項目正在概念驗證（PoC）階段。IT之家經過查詢得知，早些時候，微軟與 Open
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三星 生成式AI
- 半導體行業(yè)因「新冠疫情」而陷入前所未有的衰退，但復蘇的跡象似乎開始出現。本文根據半導體市場統(tǒng)計數據和主要制造商的財務業(yè)績報告，探討半導體市場復蘇的時機。此外，我們將討論生成式人工智能，它很可能成為行業(yè)的新驅動力。世界半導體市場統(tǒng)計（WSTS）數據和半導體制造商的業(yè)績顯示，有跡象表明半導體市場正在從衰退走向復蘇。然而，半導體市場的全面復蘇很可能在 2024 年發(fā)生。經濟衰退復蘇后，推動全球半導體產業(yè)發(fā)展的將是 ChatGPT 等用于生成式 AI（人工智能）的半導體。因此，我們預測領先的半導體產品將從蘋果的
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- 要點：●? ?驍龍X75利用僅35MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71和n70）實現200Mbps上行峰值速度?！? ?此外，全球首個5G Advanced-ready調制解調器及射頻系統(tǒng)利用75MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71、n70和n66），成功實現1.3Gbps下行峰值速度。高通技術公司聯合三星電子宣布，雙方成功實現全球首個在FDD頻段運行兩路上行載波和四路下行載波并發(fā)的5G載波聚合（CA）連接。這一成果彰顯了雙方合作帶來的領先優(yōu)勢，為未來提升5G性
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- IT之家 9 月 4 日消息，與晶圓制造不同，半導體封裝過程中需要大量的人力資源投入。這是因為前端工藝只需要移動晶圓，但封裝需要移動多個組件，例如基板和包含產品的托盤。在此之前，封裝加工設備基本上都需要大量勞動力，但三星電子已經通過晶圓傳送設備（OHT）、上下搬運物品的升降機和傳送帶等設備實現了完全自動化。三星電子 TSP（測試與系統(tǒng)封裝）總經理金熙烈（Kim Hee-yeol）在“2023 年新一代半導體封裝設備與材料創(chuàng)新戰(zhàn)略論壇”上宣布，該公司已成功建成了世界上第一座無人半導體封裝工廠。據介
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三星 晶圓代工 自動化
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現1TB內存模組的解決方案
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三星 12納米 DDR5 DRAM
- 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
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三星 NAND 閃存
- 預計未來2-3年，MicroLED會繼續(xù)努力突破技術瓶頸，逐漸打開高端市場之后再進一步向下滲透，而第二代顯示技術LCD還會依靠其他技術的修補進一步占據下沉市場，第三代技術OLED在實現大尺寸屏幕的降本后將進一步普及大眾消費市場。
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