后疫情時(shí)代需求爆發(fā)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的曙光
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疫情后數(shù)字時(shí)代的復(fù)蘇，使得世界數(shù)字經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展、數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)百業(yè)待興，因此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)也逐漸迎來(lái)活力；存儲(chǔ)市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格戰(zhàn)，減產(chǎn)維穩(wěn)到“硬漲價(jià)”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)。當(dāng)然，在面對(duì)挑戰(zhàn)和威脅的時(shí)候，也激勵(lì)著存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)突破。與此同時(shí)，環(huán)境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術(shù)的快速發(fā)展，也讓市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分化，各細(xì)分領(lǐng)域爭(zhēng)奪激烈。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202401/454503.htm存儲(chǔ)器是集成電路的重要組成部分，根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5741億美金，其中集成電路市場(chǎng)規(guī)模4744億美金，占比 82.6%，存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模為1298億美金，占集成電路市場(chǎng)的 27.4%，占半導(dǎo)體市場(chǎng) 22.6%，是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)第二大細(xì)分領(lǐng)域（第一大為邏輯電路）。但從IDC數(shù)據(jù)來(lái)看，進(jìn)入后疫情時(shí)代，全球經(jīng)濟(jì)恢復(fù)情況低于預(yù)期，使得全球企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)在這一年中表現(xiàn)較為低迷，出現(xiàn)同比1.9%的下滑。但作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要分支，存儲(chǔ)芯片周期變化情況基本與半導(dǎo)體行業(yè)周期變化情況保持一致，比較存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模與半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模2004年-2024年同比變化情況，存儲(chǔ)芯片同比變化曲線更為陡峭，其波動(dòng)性更強(qiáng)，因此在半導(dǎo)體市場(chǎng)中，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)貢獻(xiàn)更為突出。
全球五大存儲(chǔ)廠最新財(cái)報(bào)，釋放出哪些信號(hào)?
展望2024：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是人工智能成功的關(guān)鍵
2022年“缺芯”紅利不再，地緣政治沖突不斷，宏觀經(jīng)濟(jì)通脹升溫，消費(fèi)電子創(chuàng)新乏力，需求持續(xù)低迷，上述多因素疊加導(dǎo)致存儲(chǔ)行業(yè)自年中開始承壓。盡管每年第三、四季度是消費(fèi)電子傳統(tǒng)旺季，但2022年各消費(fèi)電子終端出貨量仍舊低迷，2023年第一季度消費(fèi)電子終端需求仍未有明顯回暖。消費(fèi)電子是存儲(chǔ)芯片的一大傳統(tǒng)下游應(yīng)用，依據(jù)CFM數(shù)據(jù)，2022年NAND Flash主要以應(yīng)用于移動(dòng)終端市場(chǎng)的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品、應(yīng)用于PC的cSSD，以及應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD產(chǎn)品為主，分別占比34%、22%和26%；DRAM主要以顆粒和模組（內(nèi)存條）的形式出貨給終端廠商。DDR主要應(yīng)用于PC和服務(wù)器端、LPDDR主要應(yīng)用于手機(jī)端、GDDR 的主要應(yīng)用于顯卡端。DRAM產(chǎn)品中一部分以DRAM顆粒出貨，比如智能手機(jī)中使用的 LPDDR，顯卡中使用的GDDR、HBM等，另一部分DRAM以模組形式出貨，主要是應(yīng)用于 PC、服務(wù)器上內(nèi)存條。全球智能手機(jī)今年Q1的出貨量為2.69億部， 同比下滑14.5%；全球PC今年Q1和Q2的出貨量分別同比下滑29.3%和13.40%，已經(jīng)連續(xù)六個(gè)季度同比不見(jiàn)起色。
DRAM和NAND占2022年存儲(chǔ)市場(chǎng)的96%左右。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年存儲(chǔ)芯片整體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1440億美元，其中DRAM收入797億美元，占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)比例為55.3%，較上年-1.0pct；NAND實(shí)現(xiàn)收入587億美元，占比達(dá) 40.8%，較上年+0.8pct；NOR實(shí)現(xiàn)收入32億美元，占比達(dá)2.2%，較上年+0.1pct。同時(shí)，預(yù)計(jì)2021到2027年，存儲(chǔ)市場(chǎng)整體規(guī)模平均每年將會(huì)有8%的增長(zhǎng)，到2027年將達(dá)到2630億美元，其中DRAM和NAND依然占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，預(yù)計(jì)在2027年DRAM合計(jì)占比達(dá)96.6%。DRAM和NAND市場(chǎng)空間廣闊，也是模組業(yè)務(wù)的核心導(dǎo)向。
DRAM和NAND Flash在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占主導(dǎo)地位。存儲(chǔ)器可分為RAM和ROM，在RAM中，DRAM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其特點(diǎn)是需要在維持通電的同時(shí)，通過(guò)周期性刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)，單位面積的存儲(chǔ)密度顯著高于SRAM。DRAM作為一種高密度的易失性存儲(chǔ)器，主要用作CPU處理數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等主流應(yīng)用市場(chǎng)。在ROM中，NAND Flash是使用電可擦技術(shù)的高密度非易失性存儲(chǔ)，其存儲(chǔ)密度遠(yuǎn)高于其他ROM，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)快速讀寫和擦除。NAND Flash為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案，是目前全球市場(chǎng)大容量非易失存儲(chǔ)的主流技術(shù)方案。DRAM讀寫速度比Flash快、成本高、功耗較大、壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單集成度高，F(xiàn)lash的優(yōu)勢(shì)在 于容量大、成本低。DRAM和NAND Flash分屬不同的存儲(chǔ)器層次，經(jīng)常在下游應(yīng)用中搭配使用。
DDR和LPDDR是 DRAM應(yīng)用最廣泛品類，DDR5滲透率逐步提升。DRAM按照產(chǎn)品分類分為 DDR/LPDDR/GDDR 和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM。DDR是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用在 PC、服務(wù)器上等領(lǐng)域，目前主流的DDR標(biāo)準(zhǔn)是DDR4，DDR5滲透率在逐步提升過(guò)程中；LPDDR是Low Power DDR，主要應(yīng)用于移動(dòng)端電子產(chǎn)品；GDDR（Graphics DDR）主要應(yīng)用于圖像處理領(lǐng)域；相比較 DDR 的雙倍速 率（在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)），傳統(tǒng) DRAM 只在時(shí)鐘上升沿讀取數(shù) 據(jù)，速度相對(duì)慢。根據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，DDR/LPDDR 合計(jì)占 DRAM 應(yīng)用比例約90%。
存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
SK海力士LPDDR5T 供貨DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰(zhàn)不可忽視美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
3D NAND是NAND Flash的主流產(chǎn)品，存儲(chǔ)密度持續(xù)提升。存儲(chǔ)密度提升的主要技術(shù)路 徑包括提高存儲(chǔ)單元的可存儲(chǔ)數(shù)位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆疊層數(shù)。根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的可存儲(chǔ)數(shù)位量，NAND Flash分為SLC（Single-level Cell）、MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）。SLC 為每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)只有1位，MLC、TLC 和 QLC每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)分別為2、3、4 位，存儲(chǔ)密度梯度提升。傳統(tǒng)NAND Flash為平面閃存（2D NAND），3D NAND使用多層垂直堆疊技術(shù)，擁有更大容量、更低功耗、更優(yōu)耐用性以及更低成本的優(yōu)勢(shì)。三星電子2013年率先開發(fā)出可以商業(yè)化應(yīng)用的24層3D NAND，2020年3D NAND高端先進(jìn)制程進(jìn)入176層階段，2022年美光宣布232層3D NAND實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
NAND Flash 模組應(yīng)用于嵌入式存儲(chǔ)（用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景）、固態(tài)硬 盤（大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景）和移動(dòng)存儲(chǔ)（便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景）等領(lǐng)域。閃存模組內(nèi)部組成包括主 控芯片、DRAM 顆粒和 NAND 閃存顆粒，主控芯片是閃存模組的核心器件，可以提供多種接口，如SATA、PCIe、NVMe等，負(fù)責(zé)與整機(jī)CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)通信以及數(shù)據(jù)管理、壞塊管理、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、壽命均衡、垃圾回 收以及數(shù)據(jù)加解密等功能。DRAM顆粒是中高端NAND Flash模組的重要組成部分，可臨時(shí)保存已從閃存讀取的 數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表，以免對(duì)主機(jī)內(nèi)存的占用進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)的讀寫速度。NAND顆粒為閃存模組的存儲(chǔ)介質(zhì)，采用非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以長(zhǎng)期保存 數(shù)據(jù)。按存儲(chǔ)單元密度來(lái)分，NAND Flash可分為SLC、MLC、TLC、QLC四種，以實(shí) 現(xiàn)高密度的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；按堆疊方式又分為平面式和垂直堆疊式兩種結(jié)構(gòu)，平面式2D NAND將多個(gè)存儲(chǔ)單元排列在同一層面上,堆疊式3D NAND采用垂直堆疊的方式，將多 個(gè)存儲(chǔ)單元垂直放置在同一芯片內(nèi)，因此存儲(chǔ)密度相對(duì)較高。
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%3D NAND還是卷到了300層
主流存儲(chǔ)市場(chǎng)海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM和NAND Flash等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)?；瘍?yōu)勢(shì)及技術(shù)持續(xù)升級(jí)迭代保持競(jìng)爭(zhēng)力。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士壟斷了近95%的市場(chǎng)份額，行業(yè)龍頭三星電子2014年率先實(shí)現(xiàn)20nm量產(chǎn)，此后DRAM制程大約每?jī)赡陮?shí)現(xiàn)一次突破，從 1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量產(chǎn)1αnm（接近 10nm）DRAM產(chǎn)品，主流原廠開始進(jìn)入1αnm制程階段。目前市場(chǎng)高端制程為 1Znm，該制程生產(chǎn)的芯片主要標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格包括 DDR4X/5及LPDDR4X/5。
NAND領(lǐng)域，競(jìng)爭(zhēng)格局同樣較為集中，由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、 SK海力士等公司主導(dǎo)全球市場(chǎng)，SK海力士收購(gòu)英特爾NAND Flash業(yè)務(wù)已于2021年獲得主要市場(chǎng)監(jiān)管當(dāng)局批準(zhǔn)，全球NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)一步集中。NOR領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)DRAM和NAND 分散，中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商占據(jù)一席之地。
第三方內(nèi)存條市場(chǎng)呈穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，DDR5內(nèi)存條正逐步放量。TrendForce數(shù)據(jù)來(lái)看，DRAM模組的市場(chǎng)規(guī)模從2017年的117.25億美元增長(zhǎng)至2022年的172.81億美元，近五年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)8.1%，主要是由于下游需求持續(xù)增長(zhǎng)尤其是服務(wù)器模組的需求增長(zhǎng)。根據(jù) 相關(guān)數(shù)據(jù)，2022 年全球內(nèi)存條出貨量為5.11億條，主要以DDR4為主，預(yù)計(jì)到2028年全球內(nèi)存條出貨量將達(dá)6.5億條，2022-2028年年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)4%。數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存條出貨量將從2022年的0.11億條增長(zhǎng)至2028年的6.42億支，2022-2028年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)97%，DDR5內(nèi)存條或是未來(lái)幾年內(nèi)推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。
回溯1991年至2021年DRAM市場(chǎng)發(fā)展，出貨量大致可分為四個(gè)時(shí)期，受到價(jià)格影響，出貨金額波動(dòng)較大。1991-2003年：受到日本、美 國(guó)和歐洲等發(fā)達(dá)地區(qū)對(duì)PC和電器產(chǎn)品需求的推動(dòng)，DRAM出貨量穩(wěn)步提升。進(jìn)入21世紀(jì)后，以中國(guó)為首的發(fā)展中國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速，人們購(gòu)買了手機(jī)、電腦、各種電器產(chǎn)品，導(dǎo)致DRAM出貨量激增。2018年左右DRAM市場(chǎng)幾乎被三星電子、美光、SK海力士 壟斷，為防止產(chǎn)品價(jià)格劇烈波動(dòng)，各家公司協(xié)調(diào)產(chǎn)量，出貨量趨于平穩(wěn)。2018年后，DRAM主戰(zhàn)場(chǎng)由PC轉(zhuǎn)移至數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，三大廠商 重新爭(zhēng)奪市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位，隨著數(shù)據(jù)中心數(shù)量增長(zhǎng)，DRAM出貨量再次暴增。
IDM 廠商主導(dǎo)全球 DRAM 模組市場(chǎng)，市占率將近90%。DRAM 模組廠商分為 IDM 廠商和第三方模組廠，前者如三星電子、SK 海力士、美光科技、南亞科技等，利用其芯片制造能力銷售自有品牌模塊（或自有模塊專用品牌），常年占據(jù)95%左右的市場(chǎng)份額。2022年， 三星電子占DRAM營(yíng)業(yè)收入市占率為43.12%，SK海力士市占率為27.01%，美光市占率為25.20%，三者合計(jì)市占率為95.33%。NAND Flash市場(chǎng)也在不斷的并購(gòu)整合中更加集 中，2022年三星電子/鎧俠/西部數(shù)據(jù)/SK集團(tuán)/美光的營(yíng)收市占率分別為33.44%/18.34%/13.36%/18.54%/11.72%，CR5的市占率合計(jì)為95.41%。在未來(lái)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并后，NAND市場(chǎng)集中度將進(jìn)一步提高。此外，他們還向第三方模組廠出售DRAM 晶圓。第三方模組廠從IDM購(gòu)買DRAM芯片，通過(guò)封測(cè)廠商封裝DRAM芯片，并將模塊出售給包括OEM、大規(guī)模提供商和渠道分銷商在內(nèi)的最終客戶。目前IDM廠商主導(dǎo)服務(wù)器市場(chǎng)，第三方模組廠關(guān)注 PC（筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和工作站）市場(chǎng)，由于需求疲軟和LPDDR 在筆記本電腦中的滲透，預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將下降，第三方模組廠市場(chǎng)份額有望從2021年的17%下降至2028年的9%。
存儲(chǔ)下游應(yīng)用以消費(fèi)電子和服務(wù)器為主，近年來(lái)服務(wù)器占比提升。存儲(chǔ)廣泛應(yīng)用在手機(jī)、平板、PC、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、視頻監(jiān)控、智能家居等市場(chǎng)。在ChatGPT掀起AIGC浪潮后，人工智能催生了可觀的存儲(chǔ)需求，尤其是對(duì)DDR5和HBM產(chǎn)品。根據(jù)美光的判斷，AI 服務(wù)器DRAM容量是普通服務(wù)器的6-8倍，NAND容量是普通服務(wù)器的3倍。2022年，手機(jī)/PC/服務(wù)器分別占DRAM需求的 34%/16%/33%，預(yù)計(jì)2023年服務(wù)器的需求占比仍會(huì)進(jìn)一步提升。NAND Flash目前主要以應(yīng)用于手機(jī)市場(chǎng)的的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，和應(yīng)用于PC等消費(fèi)類渠道市場(chǎng)的cSSD、以及應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD 產(chǎn)品為主，占比分別為39%、25%和22%，其中近年來(lái)應(yīng)用于服務(wù)器的eSSD需求占比有明顯提升。
據(jù)摩根士丹利估算，2023年一季度，全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈（包括制造商、分銷商和客戶）手上握有的芯片總庫(kù)存預(yù)期可用258天。若以芯片廠減產(chǎn)與客戶庫(kù)存消耗的常規(guī)速度計(jì)算，2023年底至2024年初，行業(yè)有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
全球領(lǐng)先存儲(chǔ)廠商
三星
根據(jù)報(bào)道，三星和美光計(jì)劃 2024 年第 1 季度提高 DRAM 價(jià)格，增幅在 15% 至 20% 區(qū)間。
由于人工智能和高性能計(jì)算的應(yīng)用日益廣泛，加上智能手機(jī)和個(gè)人電腦市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，市場(chǎng)預(yù)計(jì) 2024 年 DRAM 供應(yīng)緊張。
業(yè)內(nèi)人士表示，目前第 1 季度的合同價(jià)格談判已經(jīng)開始，存儲(chǔ)廠商計(jì)劃 1 月調(diào)整 DRAM 價(jià)格，敦促客戶為未來(lái)的使用需求做好規(guī)劃。
市場(chǎng)上有報(bào)道稱，三星最近宣布 DRAM 價(jià)格將從 2024 年第一季度開始上漲至少 15%。雖然目前還沒(méi)有 NAND 閃存漲價(jià)的明確跡象，但預(yù)計(jì)會(huì)跟進(jìn)上漲。IT之家援引該機(jī)構(gòu)觀點(diǎn)，預(yù)計(jì) DRAM 價(jià)格上漲趨勢(shì)將持續(xù)到 2024 年底。
對(duì)于 2024 年第一季 DRAM 價(jià)格走勢(shì)，TrendForce 目前維持季節(jié)性平均漲幅 13-18% 的預(yù)測(cè)，其中移動(dòng) DRAM 漲幅最高，服務(wù)器 DRAM 則相對(duì)保守。
傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
三星西安工廠工藝升級(jí)獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
Sk 海力士
2024年1月3日，SK海力士宣布，公司將參加于1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會(huì)“國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)（CES 2024）”，屆時(shí)展示未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲(chǔ)器技術(shù)實(shí)力。其實(shí)海力士去年10月已官宣漲價(jià)，計(jì)劃將賣給廠商客戶的DRAM、NAND Flash芯片合約價(jià)上調(diào)10%-20%。
SK海力士強(qiáng)調(diào)：“在CES2024，公司將重點(diǎn)突出‘以存儲(chǔ)器為中心’的未來(lái)發(fā)展藍(lán)圖。向全世界展示，AI時(shí)代技術(shù)發(fā)展所帶來(lái)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器重要性，與此同時(shí)展現(xiàn)公司在該領(lǐng)域的全球市場(chǎng)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)力量?！?/p>
消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%三星和SK海力士之爭(zhēng)
SK海力士開始向Vivo供應(yīng)最新款移動(dòng)DRAM芯片SK海力士不同意合并鎧俠和西部數(shù)據(jù)的背后，是美國(guó)野心？
美光
近日，存儲(chǔ)行業(yè)大廠美光科技發(fā)布了2024財(cái)年第一財(cái)季業(yè)績(jī)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，截至2023年11月30日，其營(yíng)收為47.3億美元，超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期的45.8億美元，同比增長(zhǎng)16%；凈虧損為12.3億美元，較去年同期的凈虧損14.3億美元有所收斂，每股虧損為0.95美元。
半導(dǎo)體行業(yè)分析師表示，隨著主要廠商產(chǎn)能調(diào)整，以及產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)去庫(kù)存接近完成，存儲(chǔ)芯片價(jià)格開始反彈，有望進(jìn)入新一輪上漲周期。從市場(chǎng)占有率來(lái)看，美光科技是全球第三大存儲(chǔ)芯片巨頭，僅次于韓國(guó)的三星和SK海力士，有望在新一輪的行業(yè)周期中受益。
雖然美光依然處于虧損狀態(tài)，但營(yíng)收和毛利率雙雙超預(yù)期，此前分析師對(duì)美光該財(cái)季營(yíng)收的平均預(yù)期為46.4億美元，每股虧損預(yù)期為0.97美元。美光實(shí)際每股虧損0.95美元。
從最新的財(cái)報(bào)看，DRAM和NAND仍然是美光科技最重要的收入來(lái)源，兩者合計(jì)占比達(dá)到98%。其中，DRAM是最大的收入來(lái)源，占總收入的69%，DRAM業(yè)務(wù)收入回升至34.27億美元，同比上升21.2%。NAND是公司第二大收入來(lái)源，占總收入的29%，NAND業(yè)務(wù)收入為12.30億美元，同比提升11.5%。
美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“我們預(yù)計(jì)業(yè)務(wù)基本面將在2024 年得到改善，行業(yè)TAM預(yù)計(jì)將在2025年實(shí)現(xiàn)突破。我們面向數(shù)據(jù)中心AI應(yīng)用的高帶寬內(nèi)存體現(xiàn)了技術(shù)和產(chǎn)品路線圖的實(shí)力，我們已做好充分準(zhǔn)備，抓住人工智能為終端市場(chǎng)帶來(lái)的巨大機(jī)遇?！?/p>
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