消息稱(chēng)三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
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10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202310/451148.htm
▲ 圖源韓媒 Business Korea
自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng) NAND 價(jià)格正常化。
如今 DRAM 已出現(xiàn)價(jià)格反彈，而 NAND 產(chǎn)品仍存突破空間。三星目標(biāo)是擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模，降低供應(yīng)量，再提高產(chǎn)品價(jià)格來(lái)尋求反轉(zhuǎn)，其期望明年第二季實(shí)現(xiàn) NAND 盈虧平衡點(diǎn)。
SK 證券研究員 Han Dong-hee 認(rèn)為，三星的第二波減產(chǎn)計(jì)劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格反彈。
目前業(yè)內(nèi)買(mǎi)賣(mài)雙方正在洽談合約價(jià)，外媒認(rèn)為 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合約價(jià)將上漲 10%-15%，三星甚至計(jì)劃調(diào)漲 20%，不過(guò)仍待觀(guān)察具體成交價(jià)。
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