存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。

根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。

與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAND Flash 均價(jià)跌幅收斂至 10％-15％，Q2 NAND Flash 均價(jià)續(xù)跌 10%～15%。

可以看到，今年 Q1、Q2 存儲(chǔ)市場(chǎng)的跌幅正在逐漸放緩。眾所周知，存儲(chǔ)價(jià)格具有很強(qiáng)的周期性，在這一輪市場(chǎng)下滑到底部后，伴隨著經(jīng)濟(jì)和需求面的改善，存儲(chǔ)市場(chǎng)復(fù)蘇跡象正在出現(xiàn)并日益明顯。

9 月，市場(chǎng)回暖跡象愈發(fā)明顯

根據(jù) TrendForce 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年 Q3 預(yù)估 DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 0~5%。NAND Flash 均價(jià)跌幅收斂至 3～8％。跌幅的收斂得益于三星、美光科技、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等一眾廠(chǎng)商的減產(chǎn)策略。如今存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需關(guān)系正在加速回歸平衡。

三井住友信托銀行的山上隼人以三星電子、SK 海力士、美光等廠(chǎng)商的存貨資產(chǎn)等為依據(jù)，計(jì)算出「庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)」，在 2023 年 4-6 月時(shí)平均為 151 天、較近期最高紀(jì)錄的 2022 年 10-12 月（158 天、過(guò)去 10 年來(lái)最長(zhǎng)）縮短 4%。因銷(xiāo)售出現(xiàn)改善，市場(chǎng)也傳出「DRAM 價(jià)格應(yīng)該不會(huì)再往下跌」的聲音。

同時(shí)在市場(chǎng)的現(xiàn)貨價(jià)格上，也不斷有好消息傳來(lái)。從 2023 年 4 月，存儲(chǔ)芯片的現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，6 月有市場(chǎng)消息稱(chēng)，存儲(chǔ)芯片三巨頭集體醞釀漲價(jià)，目標(biāo)漲幅最高 8％，8 月，指標(biāo)性產(chǎn)品 8GB DDR4 價(jià)格為每塊 1.48 美元左右，已是連續(xù)第四個(gè)月環(huán)比持平。

存儲(chǔ)芯片在經(jīng)過(guò)史上最長(zhǎng)的庫(kù)存調(diào)整期后，近期屬合約市場(chǎng)下游的廠(chǎng)商，已被原廠(chǎng)通知第四季度合約價(jià)要調(diào)漲，比如據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》引述業(yè)界消息報(bào)道稱(chēng)，日前三星已與小米、OPPO、谷歌等智能手機(jī)品牌客戶(hù)簽署了 DRAM 和 NAND Flash 芯片供應(yīng)協(xié)議，價(jià)格比現(xiàn)有的合約價(jià)高出了 10%～20%。上游漲價(jià)合約價(jià)格信息的調(diào)整帶動(dòng)，這一波漲價(jià)由 8-9 月現(xiàn)貨市場(chǎng)開(kāi)始反彈。

存儲(chǔ)產(chǎn)品全線(xiàn)漲價(jià)

首先看 DRAM。在供應(yīng)端，自今年年初起，三大 DRAM 龍頭陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)措施，以因應(yīng)市場(chǎng)需求不振，且進(jìn)入下半年后，業(yè)界再度傳出三星將再度減產(chǎn)，且累計(jì)各大 DRAM 廠(chǎng)的減產(chǎn)后，將可望讓第四季度的 DRAM 市場(chǎng)供給量再比第三季減少兩成。早在今年 4 月，美光消費(fèi)零部件相關(guān)部門(mén)就正式向經(jīng)銷(xiāo)商發(fā)出通知稱(chēng)，自 5 月起，DRAM 及 NAND Flash 將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢(xún)價(jià)——換言之，美光認(rèn)為現(xiàn)階段價(jià)格已是最低行情，不再響應(yīng)降價(jià)要求。

在需求端，PC、智能手機(jī)等終端電子裝置搭載容量都呈現(xiàn)大幅成長(zhǎng)趨勢(shì)，這也成為下半年有效去化庫(kù)存的關(guān)鍵。

在三大 DRAM 原廠(chǎng)的市場(chǎng)供給量持續(xù)減少，以及終端電子裝置搭載容量年成長(zhǎng)五成情況下，下半年 DRAM 價(jià)格也有望迎來(lái)上漲。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，DRAM 將于今年四季度開(kāi)始上漲，標(biāo)志著新一輪增長(zhǎng)周期的開(kāi)始。并且，DRAM 價(jià)格上漲不僅是由于減產(chǎn)和庫(kù)存清倉(cāng)等因素，還與人工智能市場(chǎng)有關(guān)。

再看 NAND。本月韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。

自今年年初以來(lái)，三星一直采取減產(chǎn)措施，晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%。只是最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，但隨著下半年開(kāi)始，三星著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量。當(dāng)前，三星正試圖推動(dòng) NAND 價(jià)格正?；?，以實(shí)現(xiàn)公司的盈利目標(biāo)。在三星的減產(chǎn)戰(zhàn)略下，DRAM 領(lǐng)域已出現(xiàn)價(jià)格反彈，而 NAND 產(chǎn)品仍存在突破空間。三星的目標(biāo)是進(jìn)一步擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模，以降低供應(yīng)量，并逐步提高產(chǎn)品價(jià)格，從而實(shí)現(xiàn)公司的反轉(zhuǎn)目標(biāo)。

美光也宣布將自 9 月起提高 NAND Flash 晶圓合約價(jià)約 10%，這一舉措被認(rèn)為有望改善美光下半年的盈利狀況。不僅如此，隨后，SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠(chǎng)商也紛紛跟進(jìn)，將價(jià)格上調(diào)了約 10%。為了確保此次漲價(jià)取得預(yù)期效果，三星、美光甚至內(nèi)部下達(dá)了一個(gè)明確的指令：絕不虧本賣(mài) NAND 芯片，必須盈利才能出貨。

在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)，漲價(jià)行情也正自上而下傳導(dǎo)，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)信息顯示，由于 NAND 晶圓顆粒的價(jià)格上漲，以及貿(mào)易商出貨報(bào)價(jià)抬高的影響，國(guó)產(chǎn) SSD、eMMC/UFS、卡和 U 盤(pán)等成品端現(xiàn)貨價(jià)格全線(xiàn)走高。

其中 SSD 成本價(jià)格大概已上漲 20% 左右，國(guó)產(chǎn)二三線(xiàn) SSD 品牌廠(chǎng)家近期已經(jīng)陸續(xù)開(kāi)始執(zhí)行漲價(jià)。有些品牌在 8 月底已小漲，有的品牌已從 9 月份開(kāi)始執(zhí)行漲價(jià)，首次成本價(jià)格上漲預(yù)計(jì)約達(dá)到 10% 左右，整體上漲幅度可以達(dá)到 15% 以上。預(yù)計(jì)多數(shù)品牌可能選擇幾輪的漲價(jià)策略陸續(xù)執(zhí)行，主要看市場(chǎng)需求以及終端的接受度而定，如果市場(chǎng)需求過(guò)差持續(xù)上漲可能受阻。

國(guó)內(nèi)不少存儲(chǔ)模組大廠(chǎng)最近已經(jīng)向客戶(hù)宣布暫停低價(jià)接單。從 9 月 12 日最新情況來(lái)看，上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer 連續(xù)數(shù)周調(diào)漲，當(dāng)周上漲至 3.35/1.65 美元；而在 DDR 方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT 價(jià)格分別上漲 2.38%/5.88%；在渠道市場(chǎng)，SSD 和內(nèi)存條價(jià)格也出現(xiàn)普漲行情。

三星、鎧俠、SK 海力士等上游 NAND Flash 原廠(chǎng)開(kāi)始拉高晶圓合約價(jià)，由于下游系統(tǒng)模組廠(chǎng)手中庫(kù)存低于正常季節(jié)水準(zhǔn)，引發(fā)終端搶貨，消費(fèi)性 SSD、存儲(chǔ)卡，手機(jī)相關(guān)零組件如 eMMC、eMCP 價(jià)格全面走揚(yáng)。供應(yīng)鏈傳出，目前平均漲幅約在個(gè)位數(shù)左右，由于部分存儲(chǔ)產(chǎn)品庫(kù)存水位相對(duì)較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。

五大廠(chǎng)商 8、9 月最新?tīng)I(yíng)收，多家創(chuàng)新高

歷經(jīng)原廠(chǎng)陸續(xù)減產(chǎn)后，已有多家存儲(chǔ)廠(chǎng)商在最近兩個(gè)月的營(yíng)收出現(xiàn)了環(huán)比增長(zhǎng)的跡象，預(yù)示著需求正在緩慢回升。

南亞科：8 月?tīng)I(yíng)收 25.75 億新臺(tái)幣，較 2022 年同期減少 24.69%，較 7 月增加 5.65%，為九個(gè)月來(lái)新紀(jì)錄；9 月?tīng)I(yíng)收為 27.24 億元新臺(tái)幣，月增 5.8%，年減 15.03%，業(yè)績(jī)?cè)賱?chuàng)新高。

群聯(lián)電子：8 月?tīng)I(yíng)收 39.90 億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng) 17.56%；9 月?tīng)I(yíng)收為 50.04 億元新臺(tái)幣，月增 25.38%，年增 4.05%，重返 50 億元新臺(tái)幣大關(guān)，創(chuàng) 14 個(gè)月新高。群聯(lián)電子表示 8 月 SSD 模組出貨量已逐漸回溫，其中 PCle SSD 模組同比增長(zhǎng)約 60%，整體 NAND 位元數(shù)同比增長(zhǎng)近 50%。部分 NAND 控制芯片開(kāi)始出現(xiàn)客戶(hù)端庫(kù)存不足的狀況。隨后在 9 月份 SSD 模組出貨量持續(xù)出現(xiàn)逐漸回溫狀況。其中，PCIe SSD 模組出貨量成長(zhǎng)更是將近 60%，而整體 NAND 儲(chǔ)存位元數(shù)的年成長(zhǎng)率（BitGrowth Rate）也超過(guò) 75%。

華邦電子：8 月?tīng)I(yíng)收 64.24 億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng) 1.74%；9 月?tīng)I(yíng)收為 67.66 億元新臺(tái)幣，月增 5.32%，年減 7.96%。華邦電子表示 8 月 DRAM 市場(chǎng)略有回溫。

旺宏：8 月?tīng)I(yíng)收 26.01 億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng) 19.23%；9 月?tīng)I(yíng)收為 25.01 億元新臺(tái)幣，月減 3.8%，年減 39.6%。旺宏表示 2023 年下半年汽車(chē) NOR Flash 有望逐季回升。

威剛：8 月?tīng)I(yíng)收 29.71 億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng) 30.40%，創(chuàng)近 11 個(gè)月單月新高。9 月業(yè)績(jī)暫未公布。不過(guò)威剛指出，其 8 月 DRAM 模組營(yíng)收較上個(gè)月大幅成長(zhǎng)五成，不僅一舉超過(guò) 14 億元，也達(dá)到 2022 年 5 月以來(lái)單月新高，占整體營(yíng)收比重則拉高至 47.57%。SSD 單月?tīng)I(yíng)收同步回升至 9.98 億元，月增 19.89%，營(yíng)收比重為 33.6%；閃存卡、U 盤(pán)及其他產(chǎn)品占比 18.83%。

10 月初，威剛董事長(zhǎng)陳立白表示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)苦熬兩年，黑暗將過(guò)，2024 年下半年更可能出現(xiàn)短缺。他認(rèn)為，由于三大存儲(chǔ)芯片巨頭積極減產(chǎn)，效益開(kāi)始顯現(xiàn)，NAND 及 DRAM 近期現(xiàn)貨價(jià)皆從低谷處呈現(xiàn)雙位數(shù)反彈。

眼看市場(chǎng)回暖在即，2024 年存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？

2024 年，中國(guó)市場(chǎng) DRAM、NAND 芯片供應(yīng)將出現(xiàn)短缺

近日，三星電子對(duì)其全球主要客戶(hù)的半導(dǎo)體需求進(jìn)行了調(diào)查。結(jié)果表明，各領(lǐng)域客戶(hù)的存儲(chǔ)庫(kù)存調(diào)整已接近完成，半導(dǎo)體行業(yè)將從 2024 年起全面反彈。三星預(yù)計(jì)從 2024 年開(kāi)始將會(huì)有部分地區(qū)的 DRAM 和 NAND Flash 供應(yīng)出現(xiàn)短缺，特別是在中國(guó)市場(chǎng)。

三星的一位高級(jí)管理人員提到，越來(lái)越多的半導(dǎo)體公司已經(jīng)完成庫(kù)存調(diào)整，特別是在與最大客戶(hù)蘋(píng)果公司成功進(jìn)行價(jià)格談判之后。預(yù)計(jì) NAND 業(yè)務(wù)的虧損將大幅減少。

在服務(wù)器 DRAM 業(yè)務(wù)方面，針對(duì)北美大客戶(hù)的半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整也進(jìn)入最后階段。數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商為了應(yīng)對(duì)人工智能需求，正在擴(kuò)大基礎(chǔ)設(shè)施投資。

那么未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)的需求驅(qū)動(dòng)力又有哪些？

未來(lái)哪些存儲(chǔ)芯片將變得更加火熱？

據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，智能手機(jī)對(duì) DRAM 和 NAND 的需求量均接近 40%。此外，服務(wù)器和 PC 對(duì) DRAM 的需求分別達(dá)到 34% 和 13%。

手機(jī)：對(duì)大容量 LPDDR、3D NAND 組件等需求越來(lái)越大。

國(guó)內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)正掀起一場(chǎng)大內(nèi)存普及戰(zhàn)役。過(guò)去一兩年，低端手機(jī) NAND Flash 容量由 32GB 逐漸升至 64GB；中端手機(jī)已經(jīng)逐漸取消 RAM 8GB 和 ROM 128GB 容量配置，完全普及 256GB；支持 RAM 12/16/18GB 和 ROM 512GB/1TB 容量的機(jī)型越來(lái)越多，并逐漸向中低端滲透。反映到全球存儲(chǔ)容量規(guī)模上，2022 年全球 NAND Flash 容量增長(zhǎng) 6% 至 6100 億 GB，全球 DRAM 容量將增長(zhǎng) 2% 至 1900 億 GB。可以見(jiàn)得，未來(lái)對(duì)大容量 LPDDR、3D NAND 組件等需求會(huì)越來(lái)越大。

PC：DDR5/LPDDR5 滲透率提高，512GB SSD 成為主流。

PC 及平板電腦的出貨量大漲，對(duì)于 DDR 內(nèi)存的需求也顯著增大，DDR5 已經(jīng)開(kāi)始被推向市場(chǎng)的風(fēng)口。英特爾及 AMD 均已發(fā)布支持 DDR5 的處理器，AMD 在 2022 年 8 月發(fā)布其銳龍 7000 系列處理器，首發(fā)包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四個(gè)型號(hào)，已在 9 月 27 日正式上市，7000 系列處理器全面支持 DDR5，且不再支持 DDR4 內(nèi)存，足以看出 AMD 對(duì)于未來(lái)搭載 DDR5 內(nèi)存平臺(tái)的信心。

另外在 PC 領(lǐng)域，固態(tài)硬盤(pán)已經(jīng)完全取代了機(jī)械硬盤(pán)，目前筆記本電腦中配備 512GB SSD 成為主流，搭載 1TB/2TB 的 SSD 的 PC 也在逐漸增多。

AI 服務(wù)器：DDR5 滲透率快速增長(zhǎng)，HBM 需求激增。

服務(wù)器需求的增長(zhǎng)正在成為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的新能動(dòng)，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的高性能服務(wù)器更是離不開(kāi) DDR5 的加持，疊加 AI 效應(yīng)的持續(xù)發(fā)酵，HBM 產(chǎn)品需求暴增。據(jù)悉，2023 年開(kāi)年后三星、SK 海力士?jī)杉掖鎯?chǔ)大廠(chǎng) HBM 訂單快速增加，價(jià)格也水漲船高，近期 HBM3 規(guī)格 DRAM 價(jià)格已上漲 5 倍。

根據(jù) TrendForce，目前高端 AI 服務(wù)器 GPU 搭載 HBM 已成主流，預(yù)估 2023 年全球 HBM 需求容量將達(dá) 2.9 億 GB，同比增長(zhǎng)近 60%。TrendForce 測(cè)算，2023 年 HBM 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為 31.6 億美金，到 2025 年市場(chǎng)規(guī)模有望突破 100 億美金。

從目前各原廠(chǎng)規(guī)劃來(lái)看，TrendForce 預(yù)估 2024 年 HBM 供給位元量將同比增長(zhǎng) 105%。

汽車(chē)等新興領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)。

隨著智能汽車(chē)的不斷發(fā)展也給主流和利基型存儲(chǔ)帶來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)悉，全自動(dòng)駕駛車(chē)輛所需的 DRAM、NAND 將分別是傳統(tǒng)汽車(chē)的 30 倍與 100 倍。另外在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。

在經(jīng)歷了一年的價(jià)格波動(dòng)之后，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)終于開(kāi)始走向回暖。結(jié)合幾大原廠(chǎng)最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)及市場(chǎng)動(dòng)態(tài)顯示，庫(kù)存調(diào)整有所成效，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片行業(yè)有望最晚在 2024 年步入量?jī)r(jià)齊升的上行通道。