三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。 

三星平澤P1工廠未來(lái)大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。

三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至33.69萬(wàn)億韓元，高于去年年底時(shí)的29.06萬(wàn)億韓元。

今年年初，三星NAND庫(kù)存水位超過(guò)20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至18周。為了減少NAND庫(kù)存，三星將實(shí)施大規(guī)模減產(chǎn)，目標(biāo)是到今年年底將庫(kù)存降至正常水平，即6-8周。（注：庫(kù)存天數(shù)是指從半導(dǎo)體成品生產(chǎn)完成到發(fā)貨的時(shí)間段，用于衡量當(dāng)前庫(kù)存水平以及何時(shí)耗盡的指標(biāo)。）

另外，在今年第二季度的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，三星高管表示計(jì)劃下半年繼續(xù)削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量，尤其是NAND閃存的產(chǎn)量，以加速庫(kù)存正?；?jù)悉，三星下半年的晶圓投入量將較上半年減少10%，目前公司減產(chǎn)的主要目標(biāo)是128層第6代V-NAND，該產(chǎn)品庫(kù)存較多。

半導(dǎo)體的制造基于硅晶圓，因此減少晶圓投入量就會(huì)降低產(chǎn)量。相比于通過(guò)增加生產(chǎn)時(shí)間來(lái)延遲出貨的“技術(shù)生產(chǎn)延遲”，減少晶圓投入直接導(dǎo)致半導(dǎo)體出貨量和供應(yīng)量的減少，因此被認(rèn)為是一種快速平衡供需的手段。

值得注意的是，NAND閃存晶圓廠利用率也有所下降。雖然尖端產(chǎn)品與通用產(chǎn)品存在差異，但利用率大幅下降，特別是中國(guó)西安工廠估計(jì)不足50%，該工廠主要生產(chǎn)128層NAND。

由于半導(dǎo)體工藝轉(zhuǎn)換需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，設(shè)備更換期間的減產(chǎn)效果顯著 —— 也就是說(shuō)，這將快速減少128層產(chǎn)品庫(kù)存。三星之所以不停止生產(chǎn)，而是推動(dòng)工藝轉(zhuǎn)換，是因?yàn)?00層以上的NAND閃存正在成為下一代旗艦產(chǎn)品。

三星正在準(zhǔn)備236層NAND，以應(yīng)對(duì)未來(lái)的需求。業(yè)內(nèi)人士表示，去年128層NAND閃存占總需求的50%，其次是176層和96層NAND閃存；不過(guò)，今年176層NAND預(yù)計(jì)將超過(guò)50%，200層以上NAND將增加至10%。