三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
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據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202411/464951.htm報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。
東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND 提供了關(guān)鍵材料。有消息稱，從第9代 3D NAND 開始，三星將全面應(yīng)用這項新技術(shù)，這一創(chuàng)新舉措不僅提高了生產(chǎn)效率，更將為三星節(jié)省每年數(shù)十億韓元的巨額成本。
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