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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機(jī)？

  • 內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場將面臨的競爭相對較少，因
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三星Q2營利暴增15倍 遠(yuǎn)超外界預(yù)期

  • 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價(jià)因此也水漲船高，上季營業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報(bào)導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團(tuán)整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時(shí)，營收也大增23.3%，達(dá)74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后，全集團(tuán)營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz

  • 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達(dá)到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實(shí)現(xiàn)了3.4倍的提升，在多核性能上更是達(dá)到了3.
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三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達(dá)測試

  • 財(cái)聯(lián)社7月4日電，韓國媒體NewDaily報(bào)道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達(dá)的產(chǎn)品測試，三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達(dá)一事展開談判。
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

  • 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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臺(tái)積電完勝三星！死忠客戶Google轉(zhuǎn)單

  • 三星3納米制程良率不佳，外傳低于20%，導(dǎo)致原有客戶出走，最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片，將改為臺(tái)積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報(bào)導(dǎo)，Google Pixel 10系列手機(jī)的Tensor G5處理器（SoC），目前已進(jìn)入 Tape-ou（流片）階段。 Google首款完全自研手機(jī)處理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生產(chǎn)，如今已從過往三星獨(dú)家代工轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。報(bào)導(dǎo)稱，Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺(tái)積電3納米制程，芯片
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三星為智能手機(jī)攝像頭推出三款多功能圖像傳感器

  • 6月27日，三星發(fā)布了三款專為智能手機(jī)主攝像頭和副攝像頭設(shè)計(jì)的新型移動(dòng)圖像傳感器：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。<三星半導(dǎo)體發(fā)布的ISOCELL HP9圖像傳感器，ISOCELL GNJ圖像傳感器，ISOCELL JN5圖像傳感器>隨著用戶對智能手機(jī)攝像頭質(zhì)量和性能的期望不斷提高，從各個(gè)角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此，三星半導(dǎo)體推出其最新的移動(dòng)圖像傳感器產(chǎn)品矩陣，讓消費(fèi)者從各個(gè)角度拍照，都能拍攝出滿意的圖像效果，為移動(dòng)手機(jī)攝影打開了新天地。&q
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

  • 據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價(jià)格15～20％。   臺(tái)系內(nèi)存模塊大廠聞?dòng)嵎治?，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價(jià)行情，但合約價(jià)實(shí)際成交價(jià)格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價(jià)格，調(diào)
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據(jù)”，仍在評估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測距測試用例的采用鋪平道路

  • 羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗(yàn)證了超寬帶（UWB）物理層的安全測距測試案例，并評估基于FiRa規(guī)范的設(shè)備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規(guī)范中，規(guī)定了新的測試用例，旨在防止對基于UWB技術(shù)的安全測距應(yīng)用進(jìn)行物理層攻擊。這些測試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無線電通信測試儀，在三星最新的UWB芯片組上進(jìn)行了驗(yàn)證。通過FiRa?聯(lián)盟驗(yàn)證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無線電通信測試儀已成為FiRa 2.0 PHY測試的認(rèn)證工具。成功驗(yàn)證物理層安全測試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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三星旗下Semes成功開發(fā)出一種ArF-i光刻涂膠/顯影設(shè)備

  • 6月24日，三星電子旗下的韓國半導(dǎo)體和顯示器制造設(shè)備公司表示，第一臺(tái)名為“Omega Prime”的設(shè)備已于去年供貨，Semes正在制造第二臺(tái)設(shè)備。Semes表示，在Omega Prime設(shè)備上應(yīng)用了噴嘴、烘烤溫度和機(jī)器人位置自動(dòng)調(diào)整系統(tǒng)，以消除涂布層的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂膠/顯影設(shè)備，并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了ArF版本，以支持波長更短的新型光刻機(jī)。
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下：韓國最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫存積壓嚴(yán)重

  • 6月25日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，自從美國對中國實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來，韓國最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重。韓國半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重，倉儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國開始限制對華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來，韓國半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺(tái)積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)

  • 6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺(tái)積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報(bào)道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺(tái)積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺(tái)，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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三星 sdi介紹

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