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三星將在平澤P2廠建設(shè)10nm第七代DRAM試驗(yàn)線

• 三星電子將在平澤二廠（P2）建設(shè)一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗(yàn)線，以加強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃于2024年第四季度開(kāi)始建設(shè)1d DRAM試驗(yàn)線，預(yù)計(jì)于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線具體生產(chǎn)規(guī)模的細(xì)節(jié)尚不清楚，但業(yè)內(nèi)估計(jì)，試驗(yàn)線的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。三星計(jì)劃于2025年開(kāi)始量產(chǎn)1c DRAM，隨后于2026年開(kāi)始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準(zhǔn)備的同時(shí)建立這條試驗(yàn)線的決定反映出其積極的發(fā)展戰(zhàn)略。業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，新
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