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SK 海力士據(jù)報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E,三星則與 HBM4 保持差距
- 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā),試圖在 HBM4 競爭中奪回失地,當前領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟日報 》報道,其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預(yù)計將在 2026 年下半年推出。報道顯示,SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶,使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是,SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM,報道補充說,英偉達緊張的生產(chǎn)進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
- 關(guān)鍵字: 三星 海力士 英偉達 HBM4E
整合計算和高速緩存功能,SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案
- IT之家 5 月 29 日消息,SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能,從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存,嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型,進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道,該方案目前依然停留在概念階段,不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器,內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上,賦予第
- 關(guān)鍵字: SK海力士 內(nèi)存 HBM4E
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