臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。

盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預計迭代進入第三代3納米（N3P），據(jù)供應鏈透露，臺積電去年底N3P已進入量產(chǎn)階段，估今年整體產(chǎn)能將成長超過6成。

供應鏈表示，包括再生晶圓、鉆石碟、特用化學品用量顯著提升，相關供應鏈如升陽半、中砂、頌勝科技; 其中，頌勝科技為少數(shù)半導體CMP制程研磨墊供應商，與國際大廠直接競爭。

三星積極追趕，2納米制程預計最快將于今年底量產(chǎn)，并計劃明年首季率先在美國德州Taylor廠導入2納米; 看似彎道超車臺積電2納米落地美國時間，不過半導體業(yè)者指出，臺積電嚴守最先進制程于臺灣發(fā)展，未來在海外廠會以臺灣母廠（Mother Fab）為目標。

IC設計業(yè)者透露，在整體芯片表現(xiàn)上，臺積電制程仍能達到更佳效果，如同樣以Arm Cortex-X925超大核心設計之天璣9400，頻率可達3.62GHz，優(yōu)于Exynos 2500 3.3GHz之表現(xiàn)，在發(fā)表時間也領先約3季，三星代工明顯已無法滿足國際芯片大廠最先進之需求。

供應鏈透露，為滿足客戶美國制造需求，臺積電亞利桑那州二廠進入加速階段，預計明年第三季進行機臺Move-in，未來也將攜手臺灣供應鏈大打國際杯，推動整體產(chǎn)業(yè)升級。