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TSMC：AI芯片革命中被低估的支柱

全球人工智能革命正在推動對先進半導體的空前需求，沒有哪家公司比臺積電更有能力利用這一趨勢。作為全球最大的專營代工廠，臺積電在用于 AI 系統(tǒng)、云基礎設施和自動駕駛技術的尖端芯片生產(chǎn)方面占據(jù)主導地位。與 NVIDIA 或 AMD 等直接在軟件和硬件生態(tài)系統(tǒng)中競爭的芯片設計商不同，臺積電作為硅片的中立制造商，使其與競爭動態(tài)隔絕，使其成為 AI 領域所有主要參與者的關鍵供應商。這一戰(zhàn)略優(yōu)勢，加上其行業(yè)領先的制造能力和有吸引力的估值，使臺積電成為一項引人注目的長期投資。代工
關鍵字： TSMC AI 芯片

TSMC的全球擴張戰(zhàn)略：增長推動因素還是利潤風險？

臺灣積體電路制造有限公司TSM（也稱為 TSMC）正在積極擴大其全球制造足跡。2025 年 3 月，它宣布在美國進行 1000 億美元的新投資，將其在美國的計劃總支出提高到 1650 億美元。這包括五個晶圓廠，兩個先進的封裝工廠和一個主要的研發(fā)中心。這是芯片歷史上最雄心勃勃的擴張之一。美國第一家晶圓廠的建設已經(jīng)完成，并且正在加快批量生產(chǎn)，以滿足飆升的 AI 需求。今年晚些時候還有兩家晶圓廠正在籌備中，正在等待許可，其余設施將根據(jù)客戶需求采用先進節(jié)點。除了在美國擴張外，臺積電還在日本和德國擴大了其晶圓廠。它
關鍵字： TSMC

先進封裝：TSMC在FOPLP和CoPoS方面的戰(zhàn)略推動

先進封裝被廣泛認為是擴展和超越摩爾定律的關鍵技術途徑。面對芯片擴展的物理限制和工藝節(jié)點小型化步伐的放緩，先進封裝通過系統(tǒng)級封裝（SiP）、異構集成和高密度互連實現(xiàn)計算性能和能效的持續(xù)改進。臺積電的技術論壇即將舉行，據(jù)外媒報道，預計臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術論壇同時進行，產(chǎn)生協(xié)同效應。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術進行深入討論，并分析臺灣和全球供應鏈格局。由于這種封裝技術與基于面板的工藝密切相關，臺灣面板制
關鍵字：先進封裝 TSMC FOPLP CoPoS

TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器

TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器（IVR），其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關鍵方法是使用垂直功率傳輸，并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術的電源管理 IC （PMIC），該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔（TSV）。該 PMIC 將具有陶瓷層來構建電感器，PMIC 將位于襯底上，與使用 TSMC
關鍵字： TSMC AI kW 集成穩(wěn)壓器

“最后也是最好的FINFET節(jié)點”

在該公司的北美技術研討會上，臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
關鍵字： FINFET TSMC

Avicena與TSMC優(yōu)化I/O互連的光電探測器陣列

Avicena 將與臺積電合作，為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測器（PD）陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒（D2D）連接擴展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴展網(wǎng)絡能夠支持跨多個機架的大型 GPU 集群，消除當前銅互連的覆蓋范圍限制，同時大幅降低功耗。日益復雜的 AI 模型推動了對計算和內(nèi)存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
關鍵字： Avicena TSMC I/O互連光電探測器陣列

TSMC 選擇更小的襯底進行初始 PLP 運行

一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》（Nikkei），決定生產(chǎn)“應該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線，但在聽說臺積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產(chǎn)線。PLP 技術由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯(lián)盟（PLC）。
關鍵字： TSMC 襯底 PLP

臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當?shù)乜蛻舻男枨?/a>

上個月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21，前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進，臺積電在當?shù)氐脑O施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格，以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x

關鍵字：臺積電 TSMC FOPLP 封裝技術美國半導體晶圓

小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
關鍵字：小米 SoC 3nm 自研芯片臺積電 TSMC

臺積電將于4月1日起開始接受2nm訂單，首批芯片預計2026年到來

臺積電（TSMC）在去年12月已經(jīng)對2nm工藝進行了試產(chǎn)，良品率超過了60%，大大超過了預期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝，分別是北部的寶山工廠，還有南部的高雄工廠，已經(jīng)進入小規(guī)模評估階段，初期產(chǎn)能同樣是月產(chǎn)量5000片晶圓。據(jù)Wccftech報道，最新消息稱，臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單，蘋果大概率會是首個客戶。傳聞蘋果計劃采用2nm工藝制造A20，用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機上。除了蘋果以為，AMD、英特爾、博通和AWS等都準備排
關鍵字：臺積電 2nm 首批芯片 TSMC 蘋果 A20 iPhone 18

轉向納米晶體管是SRAM的福音

上周在 IEEE 國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內(nèi)存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規(guī)模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
關鍵字：納米晶體管 SRAM 英特爾 Synopsys TSMC 內(nèi)存密度

蘋果A系列芯片將集成自研5G基帶：替代高通

2月25日消息，蘋果記者Mark Gurman透露，蘋果計劃在未來將5G調(diào)制解調(diào)器集成到設備的主芯片組中，這意味著未來不會再有A18芯片組與獨立的C1調(diào)制解調(diào)器，而是兩者合二為一，不過這一成果需要幾年時間才能實現(xiàn)。據(jù)悉，蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載，該機同時還搭載了A18芯片，支持Apple智能。報道顯示，蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電（TSMC）代工，其基帶調(diào)制解調(diào)器采用4nm工藝，而接收器則采用了7nm工藝，這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃，蘋果明年將會擴大自研基
關鍵字：蘋果 A系列芯片自研 5G基帶高通臺積電 TSMC

TSMC 揭開納米片晶體管的帷幕英特爾展示了這些設備可以走多遠

臺積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國際電子設備會議（IEDM）上介紹了其下一代晶體管技術。N2 或 2 納米技術是這家半導體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設備的工藝，英特爾和臺積電都預計在 2025 年生產(chǎn)它們。與臺積電目前最先進的工藝 N3（3 納米）相比，這項新技術可將能效提高 15% 或提高 30%，同時將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動成果”，臺積電研發(fā)和先進技術副總裁Geoffrey Ye
關鍵字： TSMC 納米片晶體管英特爾 Nanosheet

臺積電暫不能在海外生產(chǎn)2nm芯片，以確保先進半導體工藝技術留在當?shù)?/a>

前一段時間，臺積電（TSMC）董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示，客戶對于2nm的詢問多于3nm，看起來更受客戶的歡迎，未來五年內(nèi)臺積電有望實現(xiàn)連續(xù)、健康的增長。目前看來，2nm不但能復制3nm的成功，甚至有超越的勢頭，為此臺積電加快了2nm產(chǎn)線的建設，并進一步擴大了產(chǎn)能規(guī)劃。由于臺積電在海外還有新修晶圓廠的計劃，據(jù)相關媒體報道，中國臺灣當?shù)氐闹鞴懿块T表示，雖然臺積電在美國、歐洲和日本都在建造先進工藝的晶圓廠，但是最先進的半導體生產(chǎn)技術不能轉移到海外的生產(chǎn)設施，這受到當?shù)胤傻谋Ｗo，核心技術不能外移，現(xiàn)階段無法

關鍵字：臺積電 2nm芯片半導體 TSMC

2024年，TSMC的股價預計將繼續(xù)上漲

臺灣半導體制造公司（TSMC）是全球最大的半導體代工企業(yè)，以其先進的制造技術而聞名。2024年，TSMC的股價預計將繼續(xù)上漲，這主要得益于其在人工智能和高性能計算領域的領先地位。隨著人工智能技術的迅速發(fā)展，對高端AI GPU的需求不斷增加，這些GPU幾乎全部由TSMC的先進芯片技術提供支持。這使得TSMC在半導體代工服務市場的占有率超過50%，并為其長期增長前景提供了強有力的支撐。此外，TSMC在2024年的收入預計將增長超過20%，這進一步增強了投資者對其股票的信心。這一增長主要得益于其在7納米和5納米
關鍵字：半導體 TSMC 市場

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TSMC 　　簡介　　TSMC成立于1987年，是全球最大的專業(yè)集成電路制造服務公司。身為專業(yè)集成電路制造服務業(yè)的創(chuàng)始者與領導者，TSMC在提供先進晶圓制程技術與最佳的制造效率上已建立聲譽。自創(chuàng)立開始，TSMC即持續(xù)提供客戶最先進的技術；2006年的總產(chǎn)能超過七百萬片約當八吋晶圓，全年營收約占專業(yè)集成電路制造服務領域的百分之五十。　　2002年，TSMC成為第一家進入全球營收前 [ 查看詳細 ]

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