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gan+sic 文章 最新資訊

氮化鎵(GaN)賦能D類音頻放大器的未來

  • 了解如何將氮化鎵(GaN)功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器,可以提高信號(hào)保真度,降低功耗,并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中,放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出,從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中,有一種脫穎而出:D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名,D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而,即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高,但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

  • 氮化鎵 (GaN) 功率器件因其超快的開關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一,從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來自動(dòng)駕駛汽車的未來,必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動(dòng)駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一,它是光檢測和測距的縮寫,它從激光射出光并測量場景中的反射,有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非??焖俚拈_關(guān),該開關(guān)為
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第16講:SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD(肖特基勢壘二極管)是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸,在接觸處形成勢壘,具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下,而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比,因此為了提高耐壓,必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中,當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí),米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓,進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有,在柵極關(guān)閉時(shí),對(duì)柵極施加負(fù)電壓。對(duì)于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
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速看!SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘,這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”!http://2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題,破解方法終于來了!http://2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn),本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
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碳化硅與硅:為什么 SiC 是電力電子的未來

  • 在這里,我們比較了碳化硅 (SiC) 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異,并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 (Si) 到碳化硅 (SiC):改變電力電子的未來電力電子技術(shù)在過去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅 (Si) 等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而,碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域,為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵,器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛,今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測顯示,我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上,我國從汽車大國邁向汽車強(qiáng)國的步伐更加堅(jiān)實(shí)。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛,同比分別增長3.7%和4.5%,繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模,產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中,新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛,分別達(dá)到1288.8萬輛和1286.6萬輛,同比分別增長34.4%和35.5
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格力:SiC工廠整套環(huán)境設(shè)備均為自主制造

  • 自央視頻官方獲悉,格力電器董事長董明珠在紀(jì)錄片中,再次回應(yīng)外界對(duì)格力造芯片質(zhì)疑,并談到了格力建設(shè)的芯片工廠,直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示,造芯片不是格力電器孤勇地冒險(xiǎn),是作為中國制造企業(yè)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠,整個(gè)芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中,格力解決了一個(gè)最大的問題。“傳統(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設(shè)備都是進(jìn)口的,比如恒溫狀態(tài),而這正好是格力強(qiáng)項(xiàng)。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設(shè)備,要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能,而這可以降低企業(yè)的成本?!倍髦橐?/li>
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從硅到碳化硅過渡,碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者?

  • 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體管(B
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次,ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商(OSAT)擁有豐富業(yè)績的日月新半導(dǎo)體(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下簡稱“ATX”)。
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化,安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

  • SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的運(yùn)行頻率更高,有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效,并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比,SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu),有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

  • 英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造,將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù),包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外,英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營官我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅(qū)方案

  • 據(jù)日媒報(bào)道,名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT,合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器(三相、三電平),主要用于驅(qū)動(dòng)使用的電動(dòng)汽車牽引電機(jī)(圖 1)。據(jù)了解,名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作,參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實(shí)施的項(xiàng)目“加速實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會(huì)實(shí)施和傳播項(xiàng)目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項(xiàng)目努力的結(jié)果。圖1 :電裝橫向 GaN HEMT 電驅(qū)逆變器(左)、單相降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器運(yùn)行時(shí)的開關(guān)波形(右)。提高電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

  • 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一,正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注,但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù),在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求,正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究,并在近期國內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
  • 關(guān)鍵字: 復(fù)旦大學(xué)  Si CMOS  GaN  單片異質(zhì)集成  
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