40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應用設(shè)定新的效能標準

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出兩款額定電流為62 A和250 A的新型40 V元件，以擴展其用于功率轉(zhuǎn)換解決方案的耐輻射氮化鎵（GaN）產(chǎn)品系列，支持航太和其他高可靠性應用。

EPC宣布推出兩款新型40 V耐輻射GaN FET。EPC7001是一款40 V、4 mΩ、250 APulsed的耐輻射GaN FET，僅占用7 mm2的印刷電路板面積。EPC7002是一款 40 V、14.5 mΩ、62  APulsed的耐輻射GaN FET，僅占用1.87 mm2的印刷電路板面積。

兩款元件的總劑量輻射額定值均超過 1,000K Rad（Si），而LET的 SEE抗擾度為 83.7 MeV/mg/cm2，VDS可達100%額定擊穿值。這些新型元件和其他耐輻射元件系列均采用芯片級封裝。封裝元件由EPC Space公司提供。

針對高可靠性和航空航天應用，具備更高效能的EPC的eGaN FET和IC可替代傳統(tǒng)的耐輻射矽元件。EPC的氮化鎵耐輻射元件比矽耐輻射元件明顯更小、電氣效能高出40倍和總體成本更低。此外，與傳統(tǒng)采用矽元件的解決方案相比，采用具備卓越抗輻射能力的EPC耐輻射元件，可支持具有更高的總輻射量和SEE LET水平的應用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席CEO暨聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow表示，耐輻射氮化鎵產(chǎn)品系列提供無與倫比的效能和可靠性，其顯著的優(yōu)勢使航空航天系統(tǒng)更高效和更堅固，支持在嚴苛環(huán)境下的廣泛應用，例如航太和其他高可靠性軍工應用。

受益于氮化鎵元件的效能和在應用中可以快速部署的應用包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、馬達控制器、激光雷達和用于太空的深空探測和離子推進器。氮化鎵元件特別適合用于在近地軌道（LEO）和地球同步軌道（GEO）運行的衛(wèi)星和航空電子系統(tǒng)。