英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車(chē)規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車(chē)規(guī)級(jí)碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車(chē)載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。

相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開(kāi)關(guān)損耗降低了25%，具有同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)效能。這種開(kāi)關(guān)效能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于閘極-源極閾值電壓（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS=0 V時(shí)可實(shí)現(xiàn)可靠的關(guān)斷，而且沒(méi)有寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。這使得單極驅(qū)動(dòng)成為可能，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。另外，新一代產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的導(dǎo)通損耗。

        英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車(chē)規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC MOSFET。英飛凌

先進(jìn)的擴(kuò)散焊接芯片貼裝制程（.XT技術(shù)）顯著改善了封裝的熱效能，相比第一代產(chǎn)品，SiC MOSFET的接面溫度降低了25%。

此外，這款 MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統(tǒng)要求并減少了涂布工作量。為滿足不同應(yīng)用的需求，英飛凌提供一系列RDS（on）選項(xiàng)，包括目前市場(chǎng)上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ型。

KOSTAL在其OBC平臺(tái)中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其為國(guó)內(nèi)OEM廠商提供的新一代OBC平臺(tái)中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球領(lǐng)先的汽車(chē)充電器系統(tǒng)供應(yīng)商，透過(guò)其標(biāo)準(zhǔn)化平臺(tái)方案為全球提供安全、可靠和高效的產(chǎn)品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)高壓芯片和分立元件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：「低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn)，讓我們更有動(dòng)力與客戶一起推動(dòng)汽車(chē)的電氣化進(jìn)程。因此，我們十分高興能夠與KOSTAL合作。這個(gè)專(zhuān)案突出了我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合在采用先進(jìn)SiC技術(shù)的車(chē)載充電器市場(chǎng)中的強(qiáng)大地位?！?/p>

KOSTAL ASIA副總裁暨技術(shù)執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示：「英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高、具備優(yōu)異的強(qiáng)固性，是我們未來(lái)一代OBC平臺(tái)的關(guān)鍵組件。這些優(yōu)勢(shì)有助于我們創(chuàng)造一個(gè)兼容的設(shè)計(jì)，以管理我們最先進(jìn)的技術(shù)解決方案，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化成本和大規(guī)模的市場(chǎng)交付。」

欲知更多詳情，請(qǐng)瀏覽英飛凌官網(wǎng)。