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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
關(guān)鍵字：純化合物半導(dǎo)體 RF GaN

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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解決補(bǔ)能焦慮，安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布

800V車(chē)型刷屏，高壓SiC車(chē)載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上，近期有越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構(gòu)車(chē)型的量產(chǎn)，多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車(chē)型上市。2024年，隨著車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來(lái)800V高壓平臺(tái)風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車(chē)主流電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅(qū)方案部門(mén)產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購(gòu)買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備通過(guò)技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評(píng)審。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國(guó)內(nèi)大尺寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
關(guān)鍵字：優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長(zhǎng)設(shè)備

CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克股票代碼：QRVO）合作開(kāi)發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
關(guān)鍵字： CGD 電機(jī)控制 GaN

恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺(tái)和SiC功率器件的推廣應(yīng)用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程、減少充電停車(chē)次數(shù)、同時(shí)降低OEM廠商的系統(tǒng)級(jí)成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統(tǒng)的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

●? ?意法半導(dǎo)體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅(qū)能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)節(jié)能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導(dǎo)體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng)）、高級(jí)駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
關(guān)鍵字： ST 吉利汽車(chē) SiC

吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng)）、
關(guān)鍵字： SiC ADAS 新能源汽車(chē)

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的 DFN 封裝，堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤(pán)技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，
關(guān)鍵字： CGD 數(shù)據(jù)中心逆變器 GaN 功率IC

構(gòu)建新型能源體系，充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(zhǎng)

? ?能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，能源轉(zhuǎn)型則是當(dāng)今國(guó)際社會(huì)關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題，隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源危機(jī)的擔(dān)憂，新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(zhǎng)。　　當(dāng)前全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國(guó)重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟，充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。近年來(lái)，我國(guó)已建成世界上數(shù)量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測(cè)算，中國(guó)2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國(guó)家數(shù)倍
關(guān)鍵字：充電樁新能源汽車(chē) SIC

CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開(kāi)發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開(kāi)發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現(xiàn)對(duì)潛在客戶的聯(lián)合訪問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì)，在開(kāi)發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
關(guān)鍵字： CGD GaN 電源開(kāi)發(fā)

如何增強(qiáng) SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。事實(shí)上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì)供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強(qiáng)可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運(yùn)行，并能有效處理更高電壓，從而增強(qiáng)電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案?jìng)涫荜P(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅(qū)動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7