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巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅(qū)動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設(shè)計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設(shè)計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現(xiàn)更高的功率密度。然
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良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

  • IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
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英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
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英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

  • 據(jù)英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現(xiàn)金”收購交易是使用現(xiàn)有的流動
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2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

  • 2023年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠商的認(rèn)可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預(yù)計將搶占可觀的市場份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬單位
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%

  • 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達(dá)8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
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25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團隊，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊（Stephen Hong）擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項工作。洪錫俊負(fù)責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應(yīng)晶體管芯片。
  • 關(guān)鍵字： 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
  • 關(guān)鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導(dǎo)體  

SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新

  • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應(yīng)用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
  • 關(guān)鍵字： 202310  東芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

  • ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
  • 關(guān)鍵字： 202310  意法半導(dǎo)體  SiC  GaN  

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用

  • 1 SiC的應(yīng)用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復(fù)電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，尤其是高壓大電流等應(yīng)用場景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
  • 關(guān)鍵字： 202310  SiC  安森美  
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