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GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

  • 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
  • 關(guān)鍵字： GaN Systems  氮化鎵  

保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  

保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

  • 近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊密切合作，力爭讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

  • STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計

  • ●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%

  • 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導(dǎo)體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達(dá)與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率
  • 關(guān)鍵字： 日本  GaN  材料  成本  

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

  • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實現(xiàn)電氣化，預(yù)計將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！

  • 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
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GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
  • 關(guān)鍵字： ti  GaN  圖騰柱  PFC  電源  

大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計

  • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計，該參考設(shè)計為 OEM 和設(shè)計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
  • 關(guān)鍵字： SiC  牽引逆變器  

適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

  • 隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計人員有一個優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計需要在設(shè)計過程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統(tǒng)正常運(yùn)行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： SiC  

全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長期
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動車應(yīng)用市場

  • 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動車應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導(dǎo)體將在實現(xiàn)下世代電動車對尺寸微縮、輕
  • 關(guān)鍵字： GaN Systems  安世博  氮化鎵  電動車  
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