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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

  • _____開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

  • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應(yīng)用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆，使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質(zhì)化代幣NFT(
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET

  • 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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瑞能半導(dǎo)體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率

  • 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，瑞能半導(dǎo)體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復(fù)二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應(yīng)用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力

  • 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)AS
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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付

  • _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導(dǎo)體測試的硬件設(shè)備，從而解決了“測不準(zhǔn)”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導(dǎo)體及應(yīng)用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

  • 　　當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡(luò)運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設(shè)備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無限

  • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設(shè)計?！　∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

  • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能。　　由于GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關(guān)的潛力?！　〉壍膶?dǎo)熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導(dǎo)率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度

  • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設(shè)計得以實施。在許多具體應(yīng)用中，由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設(shè)計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設(shè)計

  • 意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應(yīng)用于高開關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設(shè)計先進的高能效開關(guān)電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設(shè)計人員利用 GaN 寬禁帶
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不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)

  • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！　‘?dāng)然，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù)，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！　《@里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
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