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碳化硅發(fā)展勢頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動(dòng)汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

近日，推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動(dòng)汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計(jì)，擁有多項(xiàng)性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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電機(jī)的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。關(guān)鍵詞：電機(jī)；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的需求。?在家電領(lǐng)域，電器的智能化需要電器對人機(jī)交流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱耍呀?jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
關(guān)鍵字：碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)

奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓?fù)?。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動(dòng)汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車
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如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動(dòng)車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器

納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。
關(guān)鍵字：小米 GaN 納微半導(dǎo)體

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
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使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

簡介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
關(guān)鍵字： DC/DC SiC