優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備通過(guò)技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評(píng)審。

鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國(guó)內(nèi)大尺寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。

資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備，可用于6英寸、8英寸量產(chǎn)。

據(jù)了解，此前4月，優(yōu)晶半導(dǎo)體最新出口至某國(guó)際知名客戶的大尺寸電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備已順利通過(guò)驗(yàn)收，標(biāo)志著優(yōu)晶科技國(guó)際業(yè)務(wù)取得突破。此次出口的SiC電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備，是優(yōu)晶科技根據(jù)市場(chǎng)需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品，設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。