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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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8英寸碳化硅時代呼嘯而來！

  • 近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來源：中國電科據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴大CoolGaNTM的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測，未來五年GaN器件市場的年復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到46%。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

  • 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

  • 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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羅姆宣布明年在日本生產(chǎn)8英寸SiC襯底

  • 羅姆半導(dǎo)體（Rohm）株式會社社長松本功近日在2023年11月財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預(yù)計將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務(wù)投入1700億-2200億日元（折合人民幣約82億元-107億元）。對于包括羅姆在內(nèi)的眾多SiC功率半導(dǎo)體玩家而言，再怎么加大投資、提升SiC襯底產(chǎn)能都不過分。一方面，近年來，襯底材料短缺
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國內(nèi)6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來新進(jìn)展

  • 11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實現(xiàn)國產(chǎn)替代。據(jù)悉，此次簽約項目總投資達(dá)21.2億元。據(jù)晶盛機電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體代表
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從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

  • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國應(yīng)該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
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國內(nèi)8英寸碳化硅加速布局！

  • 近期，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認(rèn)采購意向。圖：三安半導(dǎo)體湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安
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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展

  • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應(yīng)用及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長，并推動新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達(dá)計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
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IQE推出可用于MicroLED顯示器認(rèn)證的8英寸(200mm) RGB外延產(chǎn)品

  • IQE?plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”）全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材料解決方案供應(yīng)商，近日宣布將推出全新 8英寸 (200mm) 紅、綠、藍(lán)三色（ “RGB”）外延晶圓產(chǎn)品組合，供 microLED 顯示器認(rèn)證。??MicroLED?以氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 半導(dǎo)體為基底，是一種極具顛覆性的全新顯示器技術(shù)，正設(shè)計用于多種新平臺，例如可穿戴技術(shù)、AR/VR 耳機和大型顯示器。 IQE 的 GaN 和 GaA
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三菱電機和Coherent宣布合作，瞄準(zhǔn)8英寸SiC襯底

  • 近日，美國激光技術(shù)與加工系統(tǒng)供應(yīng)商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達(dá)成項目合作，將在200毫米技術(shù)平臺上擴大SiC電力電子產(chǎn)品的規(guī)模化生產(chǎn)。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設(shè)基于200mm技術(shù)平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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臺積電：Q3將再調(diào)漲8英寸制程代工報價

  • 據(jù)《電子時報》報道，有IC設(shè)計業(yè)者表示，臺積電將再調(diào)漲8英寸成熟制程代工報價，12英寸成熟與先進(jìn)制程則還在評估中。產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息顯示，臺積電雖然計劃提高8英寸晶圓代工服務(wù)的價格，但并不會立即生效，新的價格預(yù)計在三季度開始實施。由于供應(yīng)鏈等問題的影響，全球一直在卻芯，代工芯片制造商紛紛宣布上調(diào)代工費，半導(dǎo)體價格也始終在攀升。去年9月份，臺積電通知客戶所有芯片的代工價格最高上漲20%。其中，7nm制程技術(shù)的報價上漲3%-10%，12nm以上的成熟型制程漲價上漲20%。在臺積電目前的收入中，12英寸晶圓代工服
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8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張狀況將持續(xù)到2021年

  • 據(jù)國外媒體報道，半導(dǎo)體行業(yè)是今年為數(shù)不多的并未受到明顯影響的行業(yè)，特別是半導(dǎo)體制造，主要廠商今年的營收有明顯增長，部分生產(chǎn)線的產(chǎn)能也非常緊張。在此前的報道中，外媒已提到，臺積電等芯片代工商的8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張，代工商已經(jīng)提高了代工報價，上調(diào)幅度在10%到20%之間。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報道稱，8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張的狀況，還將持續(xù)一段時間，目前預(yù)計會持續(xù)到2021年。從產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息來看，8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張，主要是顯示驅(qū)動芯片和電源管理芯片需求強勁。如果產(chǎn)業(yè)鏈這一人士透露的消息準(zhǔn)確，8英
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車用電子需求大幅上升，強茂欲涉足8英寸晶圓市場

  • 為搶攻汽車及工業(yè)等高端應(yīng)用市場，掌握8英寸功率組件未來的龐大商機，以往專注在4、6英寸晶圓領(lǐng)域的強茂，決定斥資6,700萬美元涉足8英寸市場，其用途會專注在新團隊的晶圓設(shè)計里背面制程的應(yīng)用，以此掌握如5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等所帶動的8英寸功率組件的龐大商機。
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