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國內(nèi)6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來新進(jìn)展

  • 11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實現(xiàn)國產(chǎn)替代。據(jù)悉，此次簽約項目總投資達(dá)21.2億元。據(jù)晶盛機電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體代表
  • 關(guān)鍵字： 6英寸  8英寸  碳化硅襯底  

電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

  • 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時，積極與國產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 電科材料  6英寸  碳化硅  

三星關(guān)閉6寸晶圓廠生產(chǎn)線

  • 全球存儲芯片龍頭韓國將關(guān)閉6寸廠產(chǎn)線，業(yè)界解讀，三星正檢視產(chǎn)線狀況以因應(yīng)全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不振沖擊，有可能下一步將調(diào)整8寸廠甚至12寸廠產(chǎn)能。
  • 關(guān)鍵字： 三星  6英寸  
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