首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan+sic

gan+sic 文章 最新資訊

將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

  • 功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實驗室表示，這項技術(shù)可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
  • 關(guān)鍵字： 電流傳感器  EV  SiC  功率模塊  

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
  • 關(guān)鍵字： 東芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤

  • 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設計。第一季度授予了 420 多個
  • 關(guān)鍵字： 東芝  SiC  專利申請  泰科天潤  

Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展

  • 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
  • 關(guān)鍵字： Finwave  短期投資  GaN  FinFET  

CHIPS 法案、電動汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機

  • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴峻的現(xiàn)金危機。作為車用碳化硅行業(yè)的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報道，資產(chǎn)管理公
  • 關(guān)鍵字： CHIPS  Wolfspeed  SiC  

革新電力電子：氮化鎵雙向開關(guān)

  • 傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關(guān)的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設計人員必須使用多個分立元件實現(xiàn)背靠背配置，導致系統(tǒng)復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關(guān)性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉(zhuǎn)換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關(guān)的方法，在
  • 關(guān)鍵字： Gan  電源開關(guān)  

SiC開始加速批量上車

  • 在新能源汽車技術(shù)的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術(shù)的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
  • 關(guān)鍵字： SiC  

SiC襯底市場 去年營收減9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營收
  • 關(guān)鍵字： SiC  襯底  TrendForce  

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模塊  太陽能  

英飛凌重返SiC JFET，實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

  • Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  固態(tài)配電  

GaN可靠性里程碑突破硅天花板

  • 半導體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關(guān)注，因為它可以滿足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I域的領先競爭者。進展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
  • 關(guān)鍵字： GaN  可靠性  硅  

通過集成驅(qū)動器和高級保護功能簡化GaN電源設計

  • 高效率和高功率密度是為當今產(chǎn)品設計電源時的關(guān)鍵特性。為了實現(xiàn)這些目標，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導體技術(shù)。與競爭對手的功率半導體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅(qū)動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
  • 關(guān)鍵字： 集成驅(qū)動器  高級保護  GaN  電源設計  

GaN FET在人形機器人中的應用

  • 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
  • 關(guān)鍵字： GaN FET  人形機器人  

新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業(yè)界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺

  • 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
  • 關(guān)鍵字： 格力  家用空調(diào)  SiC  
共766條 3/52 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

gan+sic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan+sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473