Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

美國(guó)馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。

這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012 年創(chuàng)立，當(dāng)時(shí)名為 Cambridge Electronics，并于 2022 年 6 月更名為 Finwave Semiconductor（在加利福尼亞州圣地亞哥和灣區(qū)設(shè)有辦事處），其產(chǎn)品組合包括氮化鎵 （GaN） FinFET、增強(qiáng)模式 （E-mode） MISHEMT 和高性能射頻開(kāi)關(guān)。

首席執(zhí)行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“本輪融資驗(yàn)證了我們專有硅基氮化鎵技術(shù)背后的多年工程和創(chuàng)新，并為我們提供了從開(kāi)發(fā)階段轉(zhuǎn)向交付差異化高性能產(chǎn)品所需的資源。

Finwave 將利用這筆投資來(lái)加速創(chuàng)收，擴(kuò)大其產(chǎn)品組合，并繼續(xù)為以下目標(biāo)細(xì)分市場(chǎng)開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)：高功率射頻開(kāi)關(guān)、用于通信基礎(chǔ)設(shè)施的功率放大器和用于移動(dòng)設(shè)備的功率放大器。

“自我們最初投資以來(lái)，F(xiàn)inwave 在成為硅基氮化鎵高性能射頻元件的領(lǐng)導(dǎo)者方面取得了顯著進(jìn)展，”Fine Structure Ventures 的高級(jí)董事總經(jīng)理 Jennifer Uhrig 評(píng)論道。“他們與 GlobalFoundries 的戰(zhàn)略代工合作伙伴關(guān)系以及與 RFMW 的分銷合作伙伴關(guān)系尤其引人注目，這使他們的設(shè)計(jì)能力合法化，并讓客戶對(duì) Finwave 將高性能、可靠產(chǎn)品推向市場(chǎng)的能力充滿信心，”她補(bǔ)充道。

據(jù)稱，F(xiàn)inwave 的硅基氮化鎵技術(shù)改進(jìn)了 GaN 解決方案的卓越性能，同時(shí)利用了大批量 CMOS 硅晶片的成本和規(guī)模制造優(yōu)勢(shì)。其產(chǎn)品組合包括高功率射頻開(kāi)關(guān)，由于 Finwave 與射頻分銷商 RFMW 的合作，這些開(kāi)關(guān)現(xiàn)已在全球范圍內(nèi)銷售，以及即將推出的射頻功率放大器。

“作為 Finwave 的早期投資者，我們有幸在團(tuán)隊(duì)推進(jìn)麻省理工學(xué)院射頻半導(dǎo)體技術(shù)、實(shí)現(xiàn)世界紀(jì)錄的射頻性能時(shí)為他們提供支持，”Engine Ventures 的普通合伙人 Reed Sturtevant 指出。

“未來(lái)幾年，許多行業(yè)將從 Finwave 平臺(tái)中受益匪淺，”Safar 的管理合伙人 Arunas Chesonis 補(bǔ)充道。

Finwave 的產(chǎn)品路線圖旨在充分利用 GaN 的潛力，旨在提供具有成本效益的射頻器件，提供增強(qiáng)的性能，并實(shí)現(xiàn)更高效的射頻系統(tǒng)。該公司獨(dú)特的硅基氮化鎵射頻芯片針對(duì)射頻應(yīng)用，包括通信基礎(chǔ)設(shè)施（基站、MIMO、小基站、陸地移動(dòng)無(wú)線電（LMR，客戶本地設(shè)備，固定無(wú)線接入，Wi-Fi路由器，衛(wèi)星，雷達(dá)，無(wú)人機(jī)，反無(wú)人機(jī)，反無(wú)人機(jī)，測(cè)試和測(cè)量設(shè)備，以及醫(yī)療設(shè)備。