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【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

—— 聚焦超寬禁帶半導體新星,泰克張欣與港科大黃文海教授探討氧化鎵前沿進展
作者: 時間:2025-04-25 來源:EEPW 收藏

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本文引用地址:http://2s4d.com/article/202504/469850.htm

在超寬禁帶半導體領域,憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與電子及計算機工程教授黃文海教授,圍繞的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。

在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果,涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作,港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展,也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。

黃文海教授的團隊主要致力于全鏈條的研究。在材料生長方面,聚焦優(yōu)化晶體生長工藝,通過改進熔體生長技術,成功提升了氧化鎵晶體的質量,降低了晶體缺陷密度,為制備高性能器件提供了優(yōu)質材料基礎。在器件設計與制備上,黃教授的團隊創(chuàng)新設計了多種新型器件結構,例如基于場板優(yōu)化的垂直晶體管結構,有效提高了器件的擊穿電壓和導通性能,部分器件性能指標達到國際先進水平。這些成果為氧化鎵器件在高功率、高壓等應用場景的推廣奠定了堅實基礎。

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氧化鎵器件的演變與關鍵技術突破

張欣:在氧化鎵器件的發(fā)展進程中,您認為哪些關鍵技術突破助力其從理論走向實際應用?這些突破具體是如何提升氧化鎵器件性能的呢?

黃文海教授:氧化鎵器件的發(fā)展確實離不開一些關鍵技術的突破。首先,高質量的材料生長技術是基礎,我們通過分子束外延(MBE)等技術,能夠生長出高質量的氧化鎵薄膜,這對于器件的性能至關重要。其次,器件結構設計的優(yōu)化也非常關鍵。例如,我們通過引入場板技術,有效提高了器件的耐壓能力。此外,對于器件的電場管理技術,如高k介質的應用,也顯著改善了器件的電學性能。

張欣:近年來,氧化鎵器件在材料、結構等方面持續(xù)演進。能否請您分享一下當下在這些方面的最新發(fā)展趨勢?

黃文海教授:在材料方面,我們正在探索新型的氧化鎵材料,這些材料具有更高的耐壓能力和更低的漏電率。在結構設計上,我們致力于開發(fā)更高效的垂直結構,以實現(xiàn)更高的功率密度和更好的散熱性能。這些研究方向都旨在進一步提升氧化鎵器件的性能,以滿足不同應用場景的需求。

氧化鎵器件的應用展望

張欣:在諸多應用領域中,您認為未來氧化鎵器件在哪些方面最具發(fā)展?jié)摿Γ吭蚴鞘裁矗?/p>

黃文海教授:我認為氧化鎵器件在電力電子、紫外探測和傳感器等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。在電力電子領域,氧化鎵器件的高耐壓和低功耗特性使其成為理想的電力轉換器件,能夠顯著提高電力系統(tǒng)的效率和可靠性。在紫外探測方面,氧化鎵材料的寬帶隙特性使其對紫外光具有高靈敏度,有望在環(huán)境監(jiān)測、生物醫(yī)學成像等領域發(fā)揮重要作用。

張欣:對于氧化鎵器件在新興領域的應用,目前還面臨哪些挑戰(zhàn)?學術界和產(chǎn)業(yè)界該如何協(xié)同合作?

黃文海教授:目前,氧化鎵器件在高頻、高功率應用中的穩(wěn)定性仍需進一步提高。學術界應專注于基礎研究,探索新材料和新結構;產(chǎn)業(yè)界則應側重于器件制造和應用開發(fā),將研究成果轉化為實際產(chǎn)品。通過這種協(xié)同合作,可以加速氧化鎵器件的商業(yè)化進程,推動相關技術的發(fā)展。

測試測量的挑戰(zhàn)與應對

張欣:在氧化鎵器件的測試測量環(huán)節(jié),您遇到過哪些較為突出的難點和痛點?

黃文海教授:氧化鎵器件的特殊電學和光學特性給測試測量帶來了諸多技術難題。例如,由于氧化鎵器件的高耐壓特性,在測量其電學參數(shù)時需要高精度、高穩(wěn)定性的測試設備。此外,對于器件的光學特性測量,如紫外光發(fā)射和吸收,也需要專業(yè)的光譜分析設備。

張欣:這些測試難點對氧化鎵器件的研發(fā)、生產(chǎn)以及質量控制產(chǎn)生了怎樣的影響?在實際工作中,您是如何應對這些挑戰(zhàn)的?

黃文海教授:這些測試難點對氧化鎵器件的研發(fā)、生產(chǎn)以及質量控制產(chǎn)生了顯著影響。為了應對這些挑戰(zhàn),我們采用了多種先進的測量方法,如掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)以及X射線光電子能譜(XPS)等,以全面表征氧化鎵器件的性能。同時,我們也使用了泰克/吉時利(Tektronix/Keithley)的測試測量解決方案,這些設備的高精度和高穩(wěn)定性對于我們的研究至關重要。

未來展望:氧化鎵器件的發(fā)展方向

張欣:請您對氧化鎵器件未來5 - 10年的發(fā)展方向做一個前瞻性預測。在此過程中,您認為會出現(xiàn)哪些關鍵的技術創(chuàng)新點?

黃文海教授:未來5 - 10年,氧化鎵器件將在更高電壓、更高頻率和更高功率的應用中取得突破。這些應用將推動電力電子技術的革新,為可再生能源、電動汽車和智能電網(wǎng)等領域帶來新的發(fā)展機遇。同時,我認為新型器件結構的開發(fā)、材料質量的進一步提升以及制造工藝的優(yōu)化將是未來的關鍵技術創(chuàng)新點。我相信,通過不斷的技術創(chuàng)新和合作,氧化鎵器件將在更多領域實現(xiàn)突破,為全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。



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