首頁 > 新聞中心 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用
引言理解 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 前端設(shè)計(jì)的原理，有時(shí)就像學(xué)習(xí)一項(xiàng)技能。對于任何高速模擬接收器的前端設(shè)計(jì)來說，簡單地放置一個(gè) 平衡-非平衡變壓器 ，然后將兩條走線從變壓器的次級......
關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯(cuò)誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護(hù)功能的啟動情況，并會為自我保護(hù)而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時(shí)間因已啟動的保護(hù)功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護(hù)功能。這是本機(jī)型產(chǎn)......
在測量運(yùn)算放大器輸入電容時(shí)，應(yīng)關(guān)注哪些方面？必須確保測量精度不受PCB或測試裝置的雜散電容和電感影響。您可以通過使用低電容探頭、在PCB上使用短連接線，并且避免在信號走線下大面積鋪地來盡可能規(guī)避這些問題。運(yùn)算放大器被廣泛......
電涌保護(hù)電路是一種被稱為交流電網(wǎng)線電壓峰值保護(hù)器的電路。但是，在交流電網(wǎng)線中沒有特別限制。電涌保護(hù)器或電涌保護(hù)設(shè)備是一種提供電涌抑制或電壓尖峰抑制的設(shè)備，因此敏感設(shè)備不會受到損壞。電涌保護(hù)器可以處理高達(dá)幾千伏特范圍的電壓......
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動電路應(yīng)用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動芯片電流可達(dá)+/-2.3A，可驅(qū)動中功率IGBT......
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能。自舉電路在......
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。......
技術(shù)發(fā)展日新月異，為應(yīng)對功耗和散熱挑戰(zhàn)，改善應(yīng)用性能，F(xiàn)PGA、處理器、DSP和ASIC等數(shù)字計(jì)算器件的內(nèi)核電壓逐漸降低。同時(shí)，這也導(dǎo)致內(nèi)核電源容差變得更小，工作電壓范圍變窄。大多數(shù)開關(guān)穩(wěn)壓器并非完美無缺，但內(nèi)核電壓降低......
電源管理是工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵考慮要素，對系統(tǒng)性能、可靠性和成本效率有重大影響。 電源管理集成電路（PMIC）在調(diào)節(jié)電壓和為系統(tǒng)內(nèi)的各種組件（包括處理器和外設(shè)）供電方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。創(chuàng)建高效的電源管理解決方案，需要深入......
電池儲能系統(tǒng)（BatteryEnergyStorageSystems，簡稱BESS）將多余的電能以高密度的鋰離子電池形式存儲起來，廣泛應(yīng)用于電子電路、設(shè)備和電動汽車中，以備后續(xù)使用。什么是電池儲能系統(tǒng)？電池儲能系統(tǒng)（BE......
43.2%在閱讀
23.2%在互動
